传输栅输入端异常导通

使用单刀双掷模拟开关时遇到问题：

如图1，在Select脚为低时正常导通B1-A，但是在B2接入手柄（handle）输入音频时（此时MIC_local断开），A通道中也可采集到handle音频数据，测量B2点存在3.3V电压，与B1点电压几乎相同，将模拟开关芯片取下，测量PCB焊盘U25-（1、3），（1、6），（1、5）正常（不导通），测量芯片同样不导通，将芯片焊接回PCB，断开MIC_local与芯片0Ω串阻，电压消失，B2上存在的电压由B1引起。

图1 问题原理图

即使用模拟开关选通为低，选通B1时，B2音频信号也会同时串入。测量电平发现B1通道高电平大于芯片VDD电平。

图2 模拟连接示意图

模拟开关芯片内部结构应为一对P、NMOS形成的传输栅，如下图：

图3 传输栅结构示意图

图4 模拟开关内部示意图

按照MOS原理：

在UGS﹥UT的条件下，如果在漏极D和源极S之间加上正电压UDS，导电沟道就会有电流流通。漏极电流由漏区流向源区，因为沟道有一定的电阻，所以沿着沟道产生电压降，使沟道各点的电位沿沟道由漏区到源区逐渐减小，靠近漏区一端的电压UGD最小，其值为UGD=UGS－UDS,相应的沟道最薄；靠近源区一端的电压最大，等于UGS,相应的沟道最厚。这样就使得沟道厚度不再是均匀的，整个沟道呈倾斜状。随着UDS的增大，靠近漏区一端的沟道越来越薄。

图5 增强型NMOS示意图

当MOS衬底B和S分开，单独接电源和GND，就形成了上图中模拟开关的内部结构，使用一对P、NMOS是因为由于PMOS和NMOS的不同特性，导致他们组成的开关具有如下图所示的特性。NMOS管在信号比较低时的导通电阻较小，而PMOS管则在输入信号较高时的导通电阻较小，两个电阻并联后，则在整个信号的有效范围内都比较低。

图6 传输栅结构RDS（on）示意图

图7 输入通道通过衬源导通通道

总结

当输入端B1的信号MIC_local（不接MIC、接了MIC会与MIC内阻形成分压）电压值大于VDD（芯片的VCC端电压），会导致衬底和源极导通，继而导致有电流从衬底的低掺杂的P型硅片流向源极的高掺杂N+区，如图7，所以在使用该结构的模拟开关时需要保证衬—源之间电压UBS使衬—源之间PN结反向偏置，这样也不会有电流从衬底经过PN结流向源极。正常使用MOS时将衬底和源极短接也是这个原因。

后续如果模拟开关VDD电源和信号电源不是相同电源域，需要VDD大于信号电源域，本例中建议MIC上拉LDO电源使用3.0V