1. 二极管的结构
(1)面接触型:
N结面积很大,可承受较大电流,极间电容很大。适用于整流,而不适合高频。
(2)集成电路中的平面型:
(3)代表符号:
2. 二极管的I-V特性
硅二极管的I-V特性曲线
i
D
=
I
S
(
e
v
D
/
(
n
V
T
)
−
1
)
i_D = I_S(e^{v_D/(nV_T)} - 1)
iD=IS(evD/(nVT)−1)
锗二极管的I-V特性曲线
(1) 正向导通
硅的正向导通电压:约0.7V
锗的正向导通电压:约0.2V
(2) 反向截止
当电压的反向作用下,少子更容易发生漂移,形成电流,但由于少子的数量较少,形成的电流较小。
当温度升高,少子数量增多,电流增大。
(3) 反向击穿
定义:当反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增加
-
雪崩击穿:少子的漂移经过电场的加速,速度非常大,与其他原子发生碰撞,新产生很多电子-空穴对,增大了电流。
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齐纳击穿:电子在外加电场的作用下脱离共价键的束缚,变成自由电子,同时产生空穴,电子空穴对浓度增加,电流增大。