二极管的结构及特性

1. 二极管的结构

（1）面接触型：

N结面积很大，可承受较大电流，极间电容很大。适用于整流，而不适合高频。

（2）集成电路中的平面型：

（3）代表符号：

2. 二极管的I-V特性

硅二极管的I-V特性曲线

$$i_D=I_S(e^{v_D/(n{V}_T)}-1)$$

锗二极管的I-V特性曲线

(1) 正向导通

硅的正向导通电压：约0.7V
锗的正向导通电压：约0.2V

(2) 反向截止

当电压的反向作用下，少子更容易发生漂移，形成电流，但由于少子的数量较少，形成的电流较小。
当温度升高，少子数量增多，电流增大。

(3) 反向击穿

定义：当反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加

• 雪崩击穿：少子的漂移经过电场的加速，速度非常大，与其他原子发生碰撞，新产生很多电子-空穴对，增大了电流。

• 齐纳击穿：电子在外加电场的作用下脱离共价键的束缚，变成自由电子，同时产生空穴，电子空穴对浓度增加，电流增大。