二极管种类，应用场合，器件选型

二极管种类、应用场合及器件选型如下：

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1、二极管种类

二极管根据其结构、材料和工作特性不同，分为多种类型，以下是常见的种类：

1. 普通硅二极管（PN结二极管）
   • 结构：基于硅材料的PN结。
   • 特性：正向压降约0.6-0.7V，反向击穿电压范围广。
   • 代表型号：1N4148（信号二极管）、1N4007（整流二极管）。
2. 肖特基二极管（Schottky Diode）
   • 结构：金属-半导体结。
   • 特性：正向压降低（0.2-0.3V），开关速度快，但反向电压较低（通常<100V）。
   • 代表型号：BAT54、1N5819。
3. 快恢复二极管（Fast Recovery Diode）
   • 特性：反向恢复时间短，适合高频应用。
   • 代表型号：FR107、MUR1560。
4. 齐纳二极管（Zener Diode）
   • 特性：利用反向击穿特性稳压，工作在反向偏置状态。
   • 代表型号：1N4733（5.1V）、BZX55系列。
5. 发光二极管（LED）
   • 特性：通电时发光，用于指示、照明或显示。
   • 代表型号：普通红绿LED、RGB LED。
6. 光电二极管（Photodiode）
   • 特性：对光敏感，反向电流随光强变化，用于光检测。
   • 代表型号：BPW34。
7. 变容二极管（Varactor Diode）
   • 特性：电容随反向电压变化，用于调谐电路。
   • 代表型号：BB135。
8. 碳化硅二极管（SiC Diode）
   • 特性：耐高温、高压，开关损耗低。
   • 代表型号：C3D06060（600V，6A）。
9. 瞬态抑制二极管（TVS Diode）
   • 特性：快速响应，吸收浪涌电压，保护电路。
   • 代表型号：P6KE15A。

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2、应用场合

不同二极管因特性差异，适用于特定场景：

1. 普通硅二极管
   • 应用：整流（如电源适配器中的AC-DC转换）、信号检波。
   • 示例：1N4007 用于50Hz交流整流。
2. 肖特基二极管
   • 应用：开关电源（DC-DC转换）、低压高效整流、反向保护。
   • 示例：BAT54 用于移动设备充电电路。
3. 快恢复二极管
   • 应用：高频开关电源、逆变器。
   • 示例：MUR1560 用于光伏逆变器。
4. 齐纳二极管
   • 应用：稳压电路、电压基准。
   • 示例：1N4733 用于5V稳压。
5. 发光二极管
   • 应用：指示灯、显示屏、照明。
   • 示例：LED灯泡、汽车尾灯。
6. 光电二极管
   • 应用：光传感器、红外接收、光通信。
   • 示例：BPW34 用于光电门。
7. 变容二极管
   • 应用：调频电路（如收音机）、振荡器。
   • 示例：BB135 用于FM调谐。
8. 碳化硅二极管
   • 应用：高压高频场景，如电动车充电桩、工业电源。
   • 示例：C3D06060 用于600V系统。
9. 瞬态抑制二极管
   • 应用：浪涌保护（如雷击防护）、ESD保护。
   • 示例：P6KE15A 用于端口保护。

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3、器件选型指南

选型时需根据电路需求综合考虑以下参数：

1. 反向电压（VRRM）
   • 选择二极管的反向耐压值高于电路最大反向电压。
   • 示例：电路电压峰值50V，选1N4007（VRRM=1000V）或1N5819（VRRM=40V，需评估是否够用）。
2. 正向电流（IF）
   • 确保二极管的额定电流大于电路最大电流。
   • 示例：电流2A，选MUR1560（15A）而非1N4148（0.2A）。
3. 开关速度
   • 低频整流用普通二极管，高频用肖特基或快恢复二极管。
   • 示例：开关频率100kHz，选BAT54而非1N4007。
4. 正向压降
   • 高效电路优先肖特基二极管（如1N5819），普通应用可用硅二极管。
   • 示例：电池供电选BAT54降低损耗。
5. 功耗与散热
   • 计算功率（P = IF × VF），选择适合封装（如TO-220用于大功率）。
   • 示例：10A电流选MUR1560并加散热片。
6. 特殊功能
   • 稳压用齐纳二极管，光检测用光电二极管等。
   • 示例：5V稳压选1N4733。
7. 环境条件
   • 高温或高压场景可选SiC二极管。
   • 示例：电动车用C3D06060。

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4、二极管对比表

类型	结构/材料	正向压降 (VF)	反向耐压 (VRRM)	开关速度	工作模式	主要应用	代表型号
普通硅二极管	硅PN结	0.6-0.7V	50V-1000V+	慢（μs级）	正向导通	整流、检波、开关	1N4007, 1N4148
肖特基二极管	金属-半导体结	0.2-0.3V	20V-100V	快（ns级）	正向导通	开关电源、低压整流、反向保护	BAT54, 1N5819
快恢复二极管	优化硅PN结	0.7-1.0V	50V-1000V+	中等（ns-μs级）	正向导通	高频整流、开关电源	FR107, MUR1560
齐纳二极管	硅PN结（掺杂优化）	0.6-0.7V	3V-200V（击穿点）	-	反向击穿	稳压、电压基准	1N4733, BZX55C5V1
发光二极管 (LED)	化合物半导体（如GaAs）	1.8-3.5V（依颜色）	5V-20V	-	正向发光	指示、照明、显示	普通LED, RGB LED
光电二极管	硅PN结（光敏优化）	-	10V-100V	快（ns级）	反向光敏	光检测、光通信	BPW34, SFH203
变容二极管	硅PN结（电容优化）	-	10V-100V	-	反向调电容	调频、振荡器	BB135, MV209
碳化硅二极管	碳化硅（SiC）	1.5-2.0V	600V-1700V+	快（ns级）	正向导通	高压高频电源、电动车	C3D06060
瞬态抑制二极管	硅PN结（浪涌优化）	0.7V（击穿时）	5V-400V（击穿点）	极快（ps级）	反向浪涌吸收	浪涌保护、ESD防护	P6KE15A, SMBJ5.0A

5、选型时的关键点

• 电压需求：高压选碳化硅或普通硅，低压选肖特基。
• 电流需求：大电流用快恢复或碳化硅，小电流用普通硅或肖特基。
• 频率需求：高频选肖特基、快恢复或碳化硅，低频用普通硅。
• 功能需求：
  • 稳压：齐纳。
  • 保护：瞬态抑制。
  • 发光：LED。
  • 光检测：光电。
  • 调频：变容。