晶圆级封装概述

封装完整晶圆

晶圆级封装是指晶圆切割前的工艺。晶圆级封装分为扇入型晶圆级芯片封装（Fan-In WLCSP）和扇出型晶圆级芯片封装（Fan-Out WLCSP），其特点是在整个封装过程中，晶圆始终保持完整。除此之外，重新分配层（RDL）封装、倒片（Flip Chip）封装及硅通孔1（TSV）封装通常也被归类为晶圆级封装，尽管这些封装方法在晶圆切割前仅完成了部分工序。

半导体产品在由二维向三维发展，从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装（SiP）等新的封装方式，从技术实现方法出现了倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Waferlevelpackage），2.5D封装（interposer，RDL等），3D封装（TSV）等先进封装技术。

SoC：全称System-on-chip，系统级芯片，是芯片内不同功能电路的高度集成的芯片产品。

SiP：全称System-in-package，系统级封装，是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。

传统封装：

从最初的三极管直插时期后开始产生。传统封装过程如下：将晶圆切割为晶粒（Die）后，使晶粒贴合到相应的基板架的小岛（LeadframePad）上，再利用导线将晶片的接合焊盘与基板的引脚相连（WireBond），实现电气连接，最后用外壳加以保护（Mold，或Encapsulation）。典型封装方式有DIP、SOP、TSOP、QFP等。

先进封装 

主要是指倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Waferlevelpackage），2.5D封装（interposer，RDL等），3D封装（TSV）等封装技术。

先进封装在诞生之初只有WLP，2.5D封装和3D封装几种选择，近年来，先进封装的发展呈爆炸式向各个方向发展，而每个开发相关技术的公司都将自己的技术独立命名注册商标，如台积电的InFO、CoWoS，日月光的FoCoS，Amkor的SLIM、SWIFT等。

FlipChip ：指的是芯片倒装，以往的封装技术都是将芯片的有源区面朝上，背对基板和贴后键合。

Bumping是一种新型的芯片与基板间电气互联的方式。

FIWLP：全称Fan-inWafer-levelpackaging，又称WLCSP（Wafer-levelChipScalePackage），扇入式晶圆级封装，也就是传统的晶圆级封装，切割晶粒在最后进行，适用于低引脚数的集成电路。

FOWLP:全称Fan-outWafer-levelpackaging，扇出式晶圆级封装，开始就将晶粒切割，再重布在一块新的人工模塑晶圆上。

RDL(Redistributionlayer，再分布层)：在晶圆水平上，触点再分布可以很高效的进行。

TSV（Through-siliconvia，硅通孔）：Bump和RDL会占用芯片接合到基板上的平面面积，TSV可以将芯片堆叠起来使三维空间被利用起来。

PoP(PackageonPackage，堆叠封装）：PoP是一种将分离的逻辑和存储BGA(Ballgridarray，球状引脚栅格阵列）包在垂直方向上结合起来的封装技术。在这种结构中，两层以上的封装单元自下而上堆叠在一起，中间留有介质层来传输信号。

MEMS封装：微机电系统在近些年应用越来越广泛，随着传感器、物联网应用的大规模落地，MEMS封装也备受关注。MEMS的封装不同于集成电路封装，分为芯片级、模组级、卡级、板级、门级等多元垂直分级封装，设计时也需考虑不同模组间的相互影响。