仿真宽禁带材料(4H-SiC,Eg300=3.26ev)雪崩击穿的击穿,由于电流过小可以通过配置系统提高求解的浮点精度和仿真速度。
go atlas simflags="-P 4 -256"
si_sic10x:cathode负压0到-25,acathode接0,anode接大电阻1e20,(SiC暗态雪崩击穿)
击穿电压约:20.347v, 击穿场强:2.8e6V/cm
si_sic0x1:cathode接0,acathode接大电阻1e20,anode负压0到-25,(SiC/Si异质结暗态雪崩击穿)
没能击穿,
原因:没有设置硅材料的相关击穿模型,以及如果模型中有两个材料要发生雪崩击穿,如何设置。
si_sicx10:cathode接大电阻1e20,acathode接0,anode负压0到-25,(Si基pn结暗态雪崩击穿)
仿真宽禁带雪崩击穿的内容
图一:n 1e19 p 1e17 击穿电压:21.37v 击穿场强:8e5v/cm 0.000874073
图二:n 2e19 p 1e15 击穿电压:174.84V 击穿场强:2.5e5v/cm 0.0156753
0.07um,碳化硅材料,Eg300=3.26 impact aniso sic4h0001 e.side 击穿电压为20.04V
雪崩击穿