silvaco 二维器件仿真学习笔记

本文档介绍了Silvaco的二维器件仿真的关键步骤,包括Atlas仿真介绍、结构定义、初始化网格、区域材料定义、电极和掺杂处理、编辑网格、材料参数和模型配置、数值计算方法以及获取器件特性的方法。强调了在仿真过程中解决非线性问题的迭代法,并涵盖了直流、交流小信号和瞬态特性的分析。还提到了高级特性如curcetrace、S参数仿真、霍尔效应和热学特性仿真。
摘要由CSDN通过智能技术生成

20190214

Atlas仿真介绍,工艺流程,还有结构定义 都在书上,以后遇到了可以直接查。

主要补充一个纵向结构图的看法,加一个切线即可。这个故事告诉我们tonyplot用好的重要性,Deckbuild主要就是把结构写出来,更重要的还是要仿真他的特性,这就全靠tonyplot了目前。

积累一些常用的语句吧:

定义语句:electrode name= cathode bottom 

solve vbase=0.5

定义语句非常简单,只要把定义的东西写上,等号后面写定义的数值或者名称即可。

3.3 结构

首先初始化网格,然后定义区域和材料,然后定义电极,然后描述掺杂。

初始化网格: line location spacing 和之前学的Athena是一样的

区域和材料:region num=1 y.min=0.1 y.max=0.5 silicon 

就是把区域编号写上,然后写上区域范围,最后写上区域材料

材料这里组分渐变有两种表示方法: 

compx.top(bottom) 用来定义两端,中间区域是线性变化。

grad.<n>定义是定义组分从一个数值减小到0.

电极:有可能仿真结果

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