半导体模块测试仪

EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT与二极管的静态参数：其测试范围如下：
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栅极-发射极漏电流测试单元 IGESF、IGESR
栅极-发射极阈值电压测试单元 VGE（th）
集电极-发射极饱和电压测试单元 VCE（sat）
压降测试单元 VF
反向击穿电压测试单元 VR、IR
门极-发射极间电压测试单元 VCES、ICES
计算机控制系统
参数指标
1、栅极-发射极电压 VGES 及漏电流 IGES
电压 VGES：0-40V 误差±2% 分辨率 0.1V
电流 IGES：0.1-10µA 误差±2% 分辨率 0.01µA
集电极电压：VCE=0V
2、集电极-发射极电压 VCES 及电流 ICES
集电极电压 VCES：100-3500V 误差±2% 分辨率 1V
集电极电流 ICES：100µA-5mA 误差±2% 分辨率 10µA
栅极电压 VGE=0V
3、栅极-发射极阀值电压 VGE(th)
VGE(th)：1-10V 误差±2% 分辨率 0.1V
显示栅极-发射极阈值电压 VGE(th)
4、集电极发射极饱和电压 VCE(sat)
VCE（sat）：0.2-5V 误差±2% 分辨率 10mV
集电极电流 ICE：50-1500A 误差±2% 分辨率 1A
5、二极管压降测试 VF VF：0-5V 误差±3% 分辨率 10mV
栅极电压 VGE：0V
电流 IF：50-1500A 误差±2% 分辨率 1A
6、二极管反向击穿电压 BVR
电压设定：100V-3500V 误差±2% 分辨率 1V
击穿电流设定：0.1-10mA 误差±2% 分辨率 10uA