功率MOSFET动态参数测试系统

最新推荐文章于 2024-12-27 10:54:38 发布

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分类专栏： IGBT测试

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_37974687/article/details/118192012

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本文介绍了功率MOSFET动态参数测试设备的技术参数和功能，包括开关测试、栅极电荷、反向恢复、反偏安全工作区、短路安全工作区、结电容和栅极电阻等测试，适用于各种半导体分立器件的测试需求。详细列出了各项测试的范围、精度和分辨率，如开通时间、关断时间、反向恢复时间和电荷等。

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功率MOSFET动态参数测试设备技术参数和说明
a、测试范围
EN-1230A可对各类型二极管、MOS、IGBT等半导体分立器件的各项动态参数如开通时间Ton、关断时间Toff、上升时间Tr、下降时间Tf、开通延迟时间Td（on）、关断延迟时间Td（off）、开通损耗Eon、关断损耗Eoff、尖峰电压Vcepeak、di/dt，dv/dt，栅极总电荷、平台电压、反向恢复时间、反向恢复电流、反向恢复电荷、反向恢复电流变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻进行测试。
联系易恩电气：李经理152 4920 2572
在这里插入图片描述

b、技术指标
标配功能单元
1、开关测试单元
•漏极电压测试范围：5V-1200V，分辨率1V；
•漏极电流测试范围：1A-300A，分辨率1A；
•栅极驱动：±30V，分辨率0.1V；
•最大栅极电流：2A；
•最大脉冲电流：300A；
•电源电压（VDD）：5V-100V，步进0.1V，
100V-1200V，步进1.0V。
•脉冲宽度：1us-10000us,步进0.1us
•时间测试精度：1ns；
•感性负载：0.01mH-160mH程序控制，步进10uH；
•阻性负载：1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω&#x