功率MOSFET动态参数测试系统

功率MOSFET动态参数测试设备技术参数和说明
a、测试范围
EN-1230A可对各类型二极管、MOS、IGBT等半导体分立器件的各项动态参数如开通时间Ton、关断时间Toff、上升时间Tr、下降时间Tf、开通延迟时间Td（on）、关断延迟时间Td（off）、开通损耗Eon、关断损耗Eoff、尖峰电压Vcepeak、di/dt，dv/dt，栅极总电荷、平台电压、反向恢复时间、反向恢复电流、反向恢复电荷、反向恢复电流变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻进行测试。
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b、技术指标
标配功能单元
1、开关测试单元
•漏极电压测试范围：5V-1200V，分辨率1V；
•漏极电流测试范围：1A-300A，分辨率1A；
•栅极驱动：±30V，分辨率0.1V；
•最大栅极电流：2A；
•最大脉冲电流：300A；
•电源电压（VDD）：5V-100V，步进0.1V，
100V-1200V，步进1.0V。
•脉冲宽度：1us-10000us,步进0.1us
•时间测试