半导体功率器件测试系统

1.设备基本参数
1.1设备名称：半导体功率器件测试系统
设备型号：EN-3020B
设备数量： 1 台
外接设备：笔记本电脑1台
设备规格：600mm×800mm×1600mm
测试夹具： 5 个,TO220,TO247,TO252,TO3P,轴向二极管。
1.2 环境要求
A、环境要求：温度0～40℃，湿度小于70%；
B、大气压力：86Kpa～ 106Kpa
C、电网电压：AC220V±10%无严重谐波
D、电网频率：50Hz±1Hz
1.3可测试器件类型：
1）二极管
2) MOS场效应管
3) IGBT
4) 晶闸管：
2 主要技术指标
2.1 二极管：
1） 反向阻断电压及漏电流 VRRM IRRM
电压VRRM：0.2-3.00KV 误差±3% 分辨率10V
电流IRRM：100µA-100mA 误差±3% 分辨率10 µA
2）二极管压降测试VF
VF：0-5V误差±3% 分辨率0.01V
设定电流IF：5-300A误差+6% 分辨率1A
测试方式：手动测试方式
2.2 MOS场效应管：
1） 漏极-源极击穿电压BVDSS
源极电压VDS： 200-3000V误差±3% 分辨率10V
设定电流ID：100µA-10mA 误差±3% 分辨率10 µA
栅极电压VGS=0V
2）漏源极电流IDSS
源极电压VDS：200-3000