IGBT静态参数测试

最新推荐文章于 2024-06-18 16:07:55 发布

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分类专栏： IGBT测试

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_37974687/article/details/113175458

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IGBT作为电力电子领域的关键器件，其静态参数测试至关重要。本文介绍了BVCES、ICES、IGES、VGE(TH)、VCE(SAT)和VF等静态参数的含义，并强调了测试这些参数对于判断器件好坏的重要性。传统手动测试方法效率低下，推荐使用专业的测试设备，如易恩电气的EN-3020C IGBT静态参数测试系统，该系统适用于各种模块测试并提供高效、便捷的解决方案。

摘要由CSDN通过智能技术生成

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。
近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了，IGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、短路测试、热阻测试等，这些测试中最基本的测试就数静态参数测试，只有保证IGBT的静态参数没有问题的情况下，才进行像动态参数（开关时间、开关损耗、续流二极管的反向恢复）、短路、热阻方面进行测试，在这里先介绍下IGBT的静态参数测试，要进行IGBT静态参数测试，首先就要了解IGBT有哪些静态参数？
IGBT静态参数有BVCES,ICES,IGES,VGE(TH),VCE(SAT),VF等。
1、BVCES：在栅极 G 和发射极 E 短路时，在加一定的 IC 下，IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的击穿电压。
2、ICES:在栅极 G 和发射极 E 短路时，在加一定的 VCE 下，IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的漏电流。
3、IGES:在集电极 C 和发射极 E 短路时，在加一定的 VGE 下，IGBT 的栅极 G 和发射极 E 之间的漏电流。
4、VGE(TH):在一定的 IC 下，IGBT 的开启电压。
5、VCE(SAT):在栅极 G 和发射极之间加一定的 VGE(大于 VGE(TH)),一定的 IC 下，IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的饱和压降。
6、VF:在一定的 IE 下，续流二极管的电压降。
要判断一个