本文介绍了半导体的导电性原理，特别是本征半导体和杂质半导体的区别。N型半导体和P型半导体的形成和特性得到了详细阐述。重点讨论了PN结的形成过程，其单向导电性、导电性以及伏安特性，并解释了PN结在外加电压下的工作状态和反向击穿现象。
物质导电性决定于物质原子对最外层电子的束缚能力。电子器件材料需要拥有人为控制其导电性的特性，因此，人为的为半导体材料掺入特定的杂质元素控制其导电性，这种特殊性决定了半导体的产生及其重要性。
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本征半导体
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
在常温下，极少数的价电子会挣脱共价键的束缚成为自由电子。同时，共价键中留下一个空位，称为空穴。
运载电荷的粒子称为载流子，带+的空穴和带-的电子都是载流子。半导体具有空穴和自由电子两种载流子，这是半导体的特性。半导体的导电性和载流子浓度有关，浓度越高，导电性越好。
在一定温度时，半导体产生本征激发（半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象叫本征激发）和复合运动（自由电子运动时和空穴互补，相互抵消）的速率相同，达到动态平衡，所以半导体的载流子浓度一定。温度对半导体器件有影响，温度升高时，热激发加剧，脱离共价键的自由电子变多，空穴相应的变多，载流子浓度变高，导电性变强。
杂质半导体
通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。
N型半导体
在硅中掺入五价元素（磷），五
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