本征半导体
定义:完全纯净的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。
本征激发:价电子在获得一定能量后,即可挣脱原子核的束缚,称为自由电子,同时共价键中留下一个空位,称为空穴(hole)。在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相当于空穴的移动
本征半导体的导电机理:本征激发时,半导体中出现了两部分的电流:分别是自由电子做定向移动(电子电流)以及价电子复合空穴(空穴电流)。自由电子和空穴都称为载流子
注意:1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差;2)温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就越好。温度对半导体器件的性能影响很大。
杂质半导体
N(negative)型半导体
定义:掺杂五价元素后,自由电子数目大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体或N型半导体。
导电机理:多数载流子(多子):自由电子(五价元素的自由电子,本征激发出的电子);少数载流子(少子):空穴。
P(positive)型半导体
定义:掺入三价元素后,空穴数目大量增加,空穴导电称为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或P型半导体。
导电机理:多子:空穴(三价元素形成空穴,本征激发产生空穴);少子:自由电子
PN结
定义:P型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层。因浓度差,半导体内发生了多子的扩散运动和少子的漂移运动,当扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡,空间电荷区得厚度固定不变,从而形成空间电荷区。PN结又称耗尽层、势垒 区。
单向导电性:1)PN结加正向电压(正向偏置)(P接正、N接负):多子在外电场作用下定向移动,形成较大得正向电流。PN结加正向电压时,正向电阻较小,处于导通状态。
2)PN结加反向电压(反向偏置)(P结负,N接正): 少子在外电场作用下定向移动,形成很小的反向电流。PN结加反向电压时,反向电阻较大,处于截至状态。
*温度越高,少子数目越多,反向电流将随温度增加。