1、纹波
2、Vout纹波
3、动态响应
4、体积
效率
效率——控制芯片
同步控制
Burst Mode (轻载效率最高)
Pulse Skipping (轻载效率较高)
Forced Current continuous Mode(FCM)(轻载效率最低)
效率——MOSFET
导通损耗:Rds(on) (Rdson vs Temp)
开关损耗:Rising / Falling time,Fsw
驱动损耗:Qg,电荷低
二极管反向恢复:Irr(reverse recovery current)
体二极管导通损耗:dead time
效率——二极管、电感、电容
二极管:顺向导通损耗、开关损耗(含反向恢复过程)
电感:铜损、磁损
电容:ESR
Vout纹波
Vout纹波——LC filter,Fsw,Controller (Burst/PS/DCM/CCM)
源:电感电流纹波
相关因素:开关频率,电感大小,电容大小及ESR
抑制方法:高Fsw,大电感,大电容(低ESR),增加输出滤波电感(LC)
动态响应
动态响应——ΔV 越小越好,Response time越快越好,但 必须以稳定为前提
体积——开关频率高,体积小
温度范围——控制芯片(-40~125℃)