主要介绍以下概念:
1、载流子:指在固体材料中携带电荷的自由电子或空穴。在导体和某些半导体中,部分原子的外层电子可以自由移动,被称为自由电子。同时原子失去外层电子时,会形成正电荷,称为空穴。自由电子和空穴的移动,形成电流,所以称为载流子。另外我们知道自由电子带负电,空穴带正电。
2、本征半导体:指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。在本征半导体中,电子和空穴的浓度主要由材料本身的固有性质决定,而非外部杂质的掺入。
3、杂质半导体:指通过向本征半导体中掺入特定类型的杂质(也称为掺杂)来改变其导电性质的半导体材料。
N型半导体:掺入磷(P),引入额外的自由电子,大大增加自由电子的浓度,带负电所以称为N(Negative)型。此时,自由电子为多子,空穴为少子。
P型半导体:掺入硼(B),引入额外的空穴,大大增加空穴的浓度,带正电所以称为P(Positive)型。自由电子为少子,空穴为多子。
4、PN结:P型半导体和N型半导体结合,在扩散运动下,自由电子和空穴相互抵消形成空间电荷区(交战双方的无人区),逐步形成势垒(堤坝)又阻挡了扩散。
5、PN结的单向导电性:外加正向电压,削弱势垒,增加扩散,产生电流,PN结导通;外加反向电压,增加势垒,进一步阻止扩散。
6、PN结的伏安特性
反向击穿:雪崩击穿(掺杂浓度低),温度越高,雪崩电压越高;齐纳击穿(掺杂浓度高),温度越高击穿电压越低。需要注意的是,反向击穿时电流剧烈变化,而电压几乎不变,利用此特性可用作稳压二极管。