模电复习记录1

本征半导体：纯净的晶体结构的半导体（没杂质）----然后开始在上边添加乱七八糟的东西--P、N型半导体；（搞本征半导体的意义在于想要半导体可控，自然界的半导体有杂质，不好控）

N型半导体---加高价元素（外边5个电子---高）     P型半导体---加低价元素（外边个电子---低）

                   

N型---电子为多数载流子                                          P型---空穴为多数载流子

 然后在一块本征半导体上进行一边P，一边N扩散-----形成本征半导体

扩散是因为浓度差，两边开始扩散。扩散完中间形成空间电荷区，扩散被抑制。

漂移可以理解为，我扩散（多子运动）过去了，我想回去怎么办，那就反着扩散的方向漂移（少子）回去。当扩散和漂移平衡时，形成PN结。从浓度高的向低的是，多子过去。同样多子到了低的那边，多子的称呼变了，在低的这边叫少子，因此再次漂回去是少子漂回去。

形成PN结开始搞事情----正向偏置----形成扩散电容----扩散主要形成电流

反偏置----形成势垒电容---漂移形成主要电流

PN结形成-----引出来两根线构成二极管。现在开始研究二极管。

第一个性质，伏安曲线。正向电流大--mA,反向为漂移电流uA.

交流+直流作用时---低频小信号模型（二极管两端电容不能起作用）

二极管的几个参数

1、最大整流电流--iF----最大的平均值-----限制结温升高的损坏二极管

2.最大反向电压UF（瞬时值）-----一下就把二极管干报废的电压

3、反向电流IR----IS（就是那个公式里边的）

4、最高工作频率----结电容

判断二极管是否导通------假设导通，算两边电压。假设断开算两边电压

e的浓度最高>b的浓度>c的浓度

 e的电子扩散到b中，b中消耗很少一部分，此时b是P型半导体（多子是空穴）当bc构成反偏的时候，b中的电子要到c中，由于扩散，b中有大量的电子。此时电子从b往c中取，形成漂移运动。

 

输入特性，ube变化看ib---uce保持一个值

输出特性，uce变化看ic---ib保持一个值

注意：放大区，给一个ib,输出一个固定的ic

 通过测量ube和uce就可以判断三极管处于什么状态

失真现象：

ib太低容易出现截止失真

ib太大容易出现饱和失真

耦合就是连接的意思

 直接耦合的不好之处ui没有全部加到ube上，输出总是有直流损耗

采用阻容耦合（连接）电容一般是uf,交流等效为短路

 ui全部加到了ube上，同时输出uo全部是uce都是交流没有损失信号。

针对输入变换缓慢的那种（温度），还是采用直接耦合较好。

中间一部分h参数暂时用不到。

 

 Rb一般为几百k,rbe为几k

N沟道结型场效应管----GS电压是负的

ds一般不能互换，和晶体管一样，一个是浓度大，一个是面积大，作用的效果是不一样的。

这个图告诉你，gs是相当于二极管反偏，反偏最大电压为|Ugs| 使用的过程中，一般为0-|Ugs|

当g点电位为0v，s点电位为0.5V，d点电位为1V，gd电压为-1V

夹断电压一般为-1.4V到-2V

d点电压增大，夹断的越多，电流增加到饱和就不再增加了。

 

增强型mos---常用---GS是正向电压

 

 

这个也是一样当D点电压升高，升高到一定的时候，进入恒流区间。

 N沟道耗尽型

 

 

以上就是基本的管子入门