一起回顾本科模电教程

最近由于种种原因回到家乡工作,对于我这个半路出家的开发程序猿,目前需要做一些硬件设计工作,所以呢需要重新拾起本科的模电数电电路电力电子等专业课,鲁迅先生呢有朝花夕拾,我这算什么呢,一时想不出来一个恰当的名字, 原以后随着此文和大家的陪伴,能一起进步,记录下自己以后的青春和进步,今天是二极管知识。

    

今天七月十七号,星期二,开始学习模拟电路,回顾加复习,深入了解,同时兼顾Multisim和Altium Designer的学习。

 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),是电子线路中最常用的半导体器件,是一种非线性半导体器件,大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压),具有按照外加电压的方向,使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当正向电压超过某数值后,才有电流流过二极管,这一电压值称为死区电压,硅管的死区电压一般为0.5V,锗管的死区电压一般为0.1V,当二极管的正向电压大于死区电压时,才有较大的电流通过二极管,这时的电流称为正向电流,二极管处于导通状态,二极管导通时的正向压降,硅管约为0.6-0.8V,锗管约为0.2-0.3V。当二极管加正向电压(大于死区电压时),二极管导通,有较大的电流流过二极管,当二极管加反向电压小于反向击穿电压时,二极管截止,电流基本为零,所以二极管具有单向导电的特性。二极管的主要参数有(1)最大整流电流:通常称为额定电流,是指二极管在长期运行时,允许通过管子的最大平均电流,电流流过时PN结会发热,若正向电流过大,PN结会烧坏; (2最大反向工作电压通常为额定工作电压,它是为了保障二极管不至于反向击穿而设置的最高反向电压,一般规定最大反向工作电压为反向击穿电压的1/2 到1/3; (3)反向饱和电流Is又称为反向漏电流,它指管子为进入击穿区的反向电流,其值越小则管子的单向导电性越好;(4)最高工作频率:Fm是保证管子正常工作的最高频率,一般小电流二极管的Fm高达几百兆赫兹,大电流整流管仅几千赫兹;(5)直流电阻Rd:正向直流电阻,加到二极管两端的直流电压Ud与流过二极管的直流电流Ud之比称为二极管的直流电阻Rd= Ud/Id

电网提供的是交流电,但家用实际需要的是稳定的直流电,所以需要将交流转变为直流,这一过程就称为整流,整流常用常见的整流电路按电源相数分单相、三相,按二极管接法分:半波整流、单相全波整流、桥式整流;整流电路的关键参数有:整流后的输出平均电压大小,整流后的波形情况,通过二极管的电流和其两端的反向电压等。

整流电路图

整流电路对比表

一、半波整流电路最简单,但输出电压低、波动大,效率低;用在对电源波形要求不高的场合;

二、单相全波整流输出电压高,通过二极管电流小,但需要两个三极管、需要变压器抽头、二极管承受的反向电压高;由于这种电路缺点比较明显,因此现在应用比较少了;

三、单相桥式整流输出电压高,通过二极管的电流小,波形好,效率高,二极管承受反向电压低;缺点是需要4个二极管;但这种电路优点突出,应用十分广泛,特别是整流桥的出现,使电路更加简洁。

四、三相半波整流电路,电路简单,电压脉动程度比单相好,使用三极管少;

五、三相桥式整流电路,电压脉动程度最低,输出电压最高;

模电学习的两个重点 凡是学电的,总是避不开模电。 上学时老师教的知识,毕业时统统还给老师。毕业后又要从事产品设计,《模电》拿起又放下了 n 次,躲不开啊。毕业多年后,回头望,聊聊模电的学习,但愿对学弟学妹有点帮助。 通观整本书,不外是,晶体管放大电路、场管放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器、波形及变换、功放电路、直流电源等。然而其中的重点,应该是场管和运放。何也? 按理说,场管不是教材的重点,但目前实际中应用最广,远远超过双极型晶体管(BJT)。场效应管,包括最常见的MOSFET,在电源、照明、开关、充电等等领域随处可见。 运放在今天的应用,也是如火如荼。比较器、ADC、DAC、电源、仪表、等等离不开运放。 1、场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有 N 沟道和 P 沟道两种器件。有结型场管和绝缘栅型场管 IGFET 之分。IGFET 又称金属-氧化物-半导体管 MOSFET。MOS 场效应管有增强型 EMOS 和耗尽型 DMOS 两大类,每一类有 N 沟道和 P 沟道两种导电类型。 学习时,可将 MOSFET 和 BJT 比较,就很容易掌握,功率 MOSFET 是一种高输入阻抗、电压控制型器件,BJT 则是一种低阻抗、电流控制型器件。再比较二者的驱动电路,功率 MOSFET 的驱动电路相对简单。BJT 可能需要多达 20% 的额定集电极电流以保证饱和度,而 MOSFET 需要的驱动电流则小得多,而且通常可以直接由 CMOS 或者集电极开路 TTL 驱动电路驱动。其次,MOSFET 的开关速度比较迅速,MOSFET 是一种多数载流子器件,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应。其三,MOSFET 没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外,MOSFET 具有并行工作能力,具有正的电阻温度系数。温度较高的器件往往把电流导向其它MOSFET,允许并行电路配置。而且,MOSFET 的漏极和源极之间形成的寄生二极管可以充当箝位二极管,在电感性负载开关中特别有用。 场管有两种工作模式,即开关模式或线性模式。所谓开关模式,就是器件充当一个简单的开关,在开与关两个状态之间切换。线性工作模式是指器件工作在某个特性曲线中的线性部分,但也未必如此。此处的“线性”是指 MOSFET 保持连续性的工作状态,此时漏电流是所施加在栅极和源极之间电压的函数。它的线性工作模式与开关工作模式之间的区别是,在开关电路中,MOSFET 的漏电流是由外部元件确定的,而在线性电路设计中却并非如此。 2、运放所传递和处理的信号,包括直流信号、交流信号,以及交、直流叠加在一起的合成信号。而且该信号是按“比例(有符号+或-,如:同相比例或反相比例)”进行的。不一定全是“放大”,某些场合也可能是衰减(如:比例系数或传递函数 K=Vo/Vi=-1/10)。 运放直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)、输入偏置电流、输入失调电流、输入失调电流温漂、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。 交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。 个人认为,选择运放,可以只侧重考虑三个参数:输入偏置电流、供电电源和单位增益带宽。
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