原厂坏块标记总结

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        原厂坏块是生产过程中产生的坏块，一般芯片原厂都会在flash datasheet上标明坏块标记的位置和检测流程，以下是收集整理的几大厂商不同flash的原厂坏块标记信息。

Samsung

2D_14nm_MLC_GCGF_K9GCGD8U0F

坏块标记

1st page 1st  byte（main or spare region），非FFh

检测流程

check每个block的2个byte标记。

依据：《K9GCGD8U0F_1.0_WF biz.pdf》Page 22.

3DV4_TLC_AFGA_k9AFGD8HOA

坏块标记

1st page 1st  byte（main or spare region）or

last page 1st  byte（main or spare region），非FFh

检测流程

检测每个block 1st page的2个标记byte

依据：《K9AFGD8H0A_1.1_WF biz.pdf》Page 23.

Micron

3DV3_M032GB_TLC_F4_B16A_MT29F256G08EBHAF

坏块标记

1st page 1st  byte（spare region），00h

检测流程

check每个block的16384byte是否为00h。

依据：

《20170130-B16A_Fortis_Flash_256Gb_512Gb_1Tb_Async_Sync_NAND_Datasheet.pdf》Page 212.

Toshiba

3DV3_7T23_TC58TFG7T23TA0D

坏块标记

1st LSB page的1st byte of user data or spare data

last MSB page的1st byte of user data or spare data

检测流程

check每个block的4个标记byte，与00h码距更小则认为是00h，与FFh码距更小则认为是FFh。

依据：《TC58TFG7T23TA0D_TSOP_D_0.2-20170331.pdf》Page 26.

Hynix

3DV3_QDG8T2C

坏块标记

1st page 1st  byte（main or spare region），00h

last page 1st  byte（main or spare region），00h

检测流程

check每个block的4个标记byte

YMTC

256Gb_3D_TLC_4.0_B08T2

坏块标记

1st byte of the 1st or last page(page offs 0x47F)，00h

检测流程

check每个block的2个标记byte

依据：《(Yeestor)-YMTC_Gen2_256Gb_TLC_Datasheet_CS0_rev0.3.pdf》Page 22.

SANDISK

3DV4_BICS4

坏块标记

手动检测

检测流程

依据：《3D_Gen4_X3_256Gb_2P_pkg__r1_0__wcb2__1D.PDF》Page 10.