SRAM与DRAM的主要区别是什么

SRAM与DRAM的主要区别如下：

存储原理：

SRAM使用触发器来存储数据，数据状态稳定，不需要定期刷新。
DRAM则使用电容器来存储数据，电容器会逐渐漏电，因此需要定期刷新以维持数据的正确性。

访问速度：

SRAM的访问速度通常比DRAM快，因为其数据状态稳定，不需要刷新等待时间。
DRAM的访问速度相对较慢，因为每次读写操作前可能需要等待刷新周期结束。

功耗与成本：

SRAM的功耗相对较高，因为需要不断为触发器供电以保持数据稳定。
DRAM在待机模式下的功耗较低，但刷新操作会增加功耗。DRAM的制造成本通常比SRAM低，因此在大容量应用中更具成本优势。

容量与集成度：

SRAM的集成度相对较低，相同面积下可以存储的数据量较少，因此容量通常较小。
DRAM的集成度较高，相同面积下可以实现更大的存储容量。

应用场景：

SRAM由于其高速访问和低延迟特性，常用于对速度要求极高的场合，如CPU的高速缓存。
DRAM则因其大容量和相对较低的成本，广泛应用于计算机的主存储器中。