集成电路总设计（I）

半导体工艺试验

作者： Saint
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一 实验目的
1 熟悉半导体工艺的一般步骤。
2 掌握半导体工艺各个步骤的要求。会计算方块电阻。
3 牢记温度控制、溶液配比要求。

二 实验原理
半导体工艺建立在一些已经成熟的工艺步骤基础上，为了了解其生产过程，下面我们就了解这些工艺步骤。半导体中基本的工艺步骤是：氧化层生长、热扩散、光刻、离子注入、淀积（蒸发）和刻蚀等步骤。

（一）氧化
氧化是在硅片表面生长一层二氧化硅（SIO2）膜的过程。这层膜的作用是：保护和钝化半导体表面；作为杂质选择扩散的掩蔽层；用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘；用作MOS电容和MOS器件栅极的介电层等等。

其实现的方法有：高温氧化（热氧化）、化学气相淀积（CVT）、阳极氧化、溅射等。 氧化即生长在硅片表面上，也向硅片里面延伸，如图1所示。

一般氧化层约45﹪的厚度是在初始表面上形成，46﹪是在初始表面以下生成。通常氧化层的厚度，薄的可以小于500A（栅氧化层），厚的可以大于1000Å（场氧化层）。氧化的范围为700—1100℃,氧化层的厚度和它的生长时间成比例。

常用的氧化方法是高温氧化。 所以这里，我们着重强调一下高温氧化。高温氧化就是把硅衬底片置于1000℃以上的高温下，并通入氧化性气体（如氧气、水汽），使衬底本身表面的一层硅氧化成。高温氧化又分为：干氧氧化、湿氧氧化和水汽氧化三种。

实践表明，干氧氧化速率慢，但所得到的二氧化硅层质量较好，且和光刻胶有良好的粘附性（不易“浮胶”)，而水汽氧化恰恰相反，氧化速度快，使所得二氧化硅层质量较差，而且过量的水还有腐蚀Si的作用，所以很少单独采用水汽氧化。但如果在氧中掺入一定量的水汽（就是所谓的湿氧氧化的方法），就在一定程度上解决了氧化速度和氧气质量之间的矛盾，因此宜于在生长较厚的氧化层时使用。

但终究湿氧氧化生成的二氧化硅层的质量不如干氧氧化的好，且易引起Si表面内杂质再分布。所以，在生长较厚的氧化层时，往往采用干氧－湿氧－干氧的工艺步骤，这既可以使氧化时间不致过长又能保证工艺对氧化层质量的要求。
高温氧化的机理：

1． 干氧氧化
在高温下，氧气与硅接触时是通过以下化学反应在硅表面形成二氧化硅的

       Si+O2→  SiO2

可见一个氧分子就可以生成一个二氧化硅分子。随着SiO2层的生成，在氧和硅表面之间隔着一层SiO2，那么氧和硅怎样才能继续发生反应呢？

显然，要么是氧必须扩散通过已有的SiO2层（氧在SiO2中的渗透很慢），要么是硅原子必须扩散通过已有的SiO2层。现在用放射示综实验表面：SiO2层继续生长是通过氧扩散来实现的。

氧在中扩散是以离子形式进行的。氧进入后便离解成负离子：

 O2 <＝O2->+空穴

氧离子通过扩散而达到SiO2－Si界面，然后在界面处与Si发生反应而形成新的SiO2，从而使得SiO2层越长越厚。

干氧氧化含有的氧离子通过SiO2的扩散和在SiO2－Si界面上与硅发生反应这两个过程。在较高温度（例如1000℃以上）下，界面化学反应速度较快，而氧离子扩散通过SiO2的过程较慢，因此，氧化速度将主要取决于氧化氧离子扩散过程SiO2层的快慢。显然，这时随着氧化的进行，SiO2层将不断增厚，氧化速度也就越来越慢。

2． 水汽氧化
水汽氧化的化学反应是

Si ＋2H2O—>SiO2+2H2↑

可见需要两个水分子才能使一个硅原子形成一个SiO2分子，而且反应产物中出现有氢气。由于水汽氧化过程中SiO2网络不断遭受消弱，致使水分子在SiO2中扩散也较快（在1200℃以下，水分子的扩散速度要比氧离子的快十倍）。因此，水汽氧化的速度要比干氧氧化的快。

高温氧化的规律：
在干氧氧化中，决定氧化速度的基本使氧分子（暂不考虑离解效应）扩散通过SiO2层和在硅表面上发生化学反应两个过程。在氧化时间较短、SiO2层较薄时，表面化学反应的过程是主要的，SiO2层厚度将随时间线性地增加； 而在氧化时间较长、SiO2层较厚时，扩散过程是主要的，SiO2层厚度将随时间而作亚抛物线式地增加。

（二）扩散
半导体工艺中扩散是杂质原子从材料表面向内部的运动。和气体在空气中扩散的情况相似，半导体杂质的扩散是在800-1400℃温度范围内进行。从本质上来讲，扩散是微观离子作无规则的热运动的统计结果。这种运动总是由离子浓度较高的地方向着浓度较低的地方进行，而使得离子得分布逐渐趋于均匀；浓度差别越大，扩散也越快。

根据扩散时半导体表面杂质浓度变化的情况来区分，扩散有两类，即无限杂质源扩散（恒定表面源扩散）和有限杂质源扩散（有限表面源扩散），其分布图如图2所示．

第一种类型是恒定表面源扩散，在整个扩散过程中硅片表面得杂质浓度始终
不变。假设在t=0时，材料表面有一无限的杂质源N0。材料内杂质浓度的分布
是杂质进人材料内部深度的函数，随着时间的推移，该浓度逐步增加并超过扩散前的浓度NB。

第二种类型的扩散是有限表面源扩散，在扩散之前，在硅表面淀积一层杂质，在整个扩散过程中不再有新源补充。假设在材料表面有一有限杂质源。t＝0时其值为N0然而，随着时间的推移，表面的杂质浓度趣步减小,此处NB是半导体内扩散前的杂质浓度。值得注意的是，有限源扩散服从高斯分布，如图3所示。