片上光开关

​光开关的主要作用是在光网络节点处实现光信号的通断，或者信号在不同链路之间的切换。光开关的输入端为1个或多个端口，输出端为2个或多个端口。

 

光开关的应用主要有以下四个方面：

OADM和光交叉连接：光分插复用器主要应用于环形的城域网中，实现单个波长和多个波长从光路上自由上下，而不需要电解复用或复用过程。用光开关实现的OADM可以通过软件控制动态上下任意波长，这样大大增加了网络配置的灵活性。OXC由光开关矩阵组成，它主要用于核心光网络的交叉连接，实现光网络的故障保护，动态的光路径管理，灵活增加新业务等。

光开关的网络架构常用的有以下四个：

Benes 架构，其主要优势是实现相同规模无阻塞光开关需要的开关单元数最少，即(2logN– 1) × N / 2 个，例如一个 4 × 4 Benes 光开关由 3 级构成，每一级包含 2 个光开关。与光开关单元数减少相对的是其路由控制复杂度及路由功耗的提高，因为每一条路径都包含多个级联的开关单元，并且会有多条路径共享同一个开关单元。

Crossbar 架构，是由开关单元按照纵横型排列构成的开关矩阵，其优势是结构简单，易于设计和拓展，并且每一路输入与输出端口间只连接单个开关单元，从而具有插损低、路由控制简单、路由功耗低等优势。其主要问题是需要的开关单元数较多，一个N × N Crossbar 光开关一般需要 N方个开关单元，因而对加工良率提出较高要求。

Switch-and-select 和 Dilated Banyan 架构，这两种架构需要的开关单元数相较于前两种架构显著增多，均为2N × (N – 1)。其带来的增益是开关整体串扰性能的显著提升，以及每个开关单元只路由单路光信号的特点，没有其他信号的串扰。

​光开关主要分为以下三类：

下面将每一种类型将会举一个例子来介绍：

1、首先是MEMS型

UC伯克利2016年做的一款光开关，50×50的，用的是这种cross bar的网络架构，但是由于每个开关单元是双层结构，所以一个drop信号只通过一个开关单元。

下图就是它的开关单元结构，在 OFF 状态下，耦合波导很遥远（±1 μm），在总线波导中几乎不存在光传播损失。在 ON 状态下，耦合波导向移动到总线波导（间距为125nm），水平波导中几乎所有的光线都被输送到垂直的总线波导，在ON状态下，总线和耦合波导之间的距离由机械塞的高度精确定义。为了减少交叉口的损失，使用多模干涉（MMI）结构将光线聚焦在交叉路口的中心，MMI交叉口的插入损失为0.011dB。

下图是加工出的芯片显微图，整体大小是7.6×7.6平方毫米，片上插入损耗是8.5db，切换速度是0.85us/0.47us。靠芯片周围的光栅通过光纤耦合接收传输光。

2.干涉型（MZI）

下图是一个16×16的基于MZI的光开关，上交陈建平组2016年的工作，包括56个2×2的MZI，每一个集成了一对TiN电阻微加热器和一个PIN二极管。通过PIN二极管加电改变臂上折射率从而改变相位关系，从而使MMI的出口能在另两个端口之间切换。比如从1端口输入，从MMI一分二输入进两臂的光具有90度的相位差，因为2×2的MMI，输入交叉输出会有90度的相位变换，下臂就比上臂多90相位差，两个臂是相位相等的，然后从3端口输出的话，下臂又会产生90相位差，就相消了，4端口的输出的话就相干输出。

1560nm 波长的平均片上插入损失分别为"全交叉"和"全条"状态的 6.7dB 和 +14dB。损耗主要由三部分组成，分别是MMI的耦合损耗、波导交叉损耗以及传输波导的损耗。TO调谐器用于纠正工艺引。起的相位错误，确保MZI的两臂引起的相位相等。

为了监控MZI 开关元件的状态，我们添加了四个波导tap，每个MZI 开关元件之前和之后都使用本地光栅耦合器终止。因此，可以独立测量每个MZI 的传输，从而优化每个单元的切换性能。Tap由弯曲的波导组成，与间隙大小为0.2 μm的直波导倏逝耦合在一起。

测试框架如下图所示，因为输入的光必须是TE偏转光所以需要偏转控制器、然后通过一个脉冲模式发生器对激光进行振幅OOK（On Off Keying）调制，然后通过EDFA进行放大，输入进芯片，芯片里MZI加个10Mhz的电压信号来控制开关的切换。从测得的波形来看，10%-90%的上升和下降时间分别为3.2ns和2.5ns。根据 TO 效果 [7、14] 或 MEMS 驱动 [26]，开关速度几乎比该速度快三个数量级。

3.干涉型（基于微环）

15年哥伦比亚大学提出的利用单个微环就能实现2×2开关的功能，之前的都是使用两个微环实现，相应的就可以减少尺寸、功耗、大大简化了微环相关控制系统的复杂性。实现2×2一是通过两个波长实现，二是用一个波长实现方案，但必须使一路的光跟另一路光不具备干涉的条件。

4. SOA（半导体光放大器）型

例子是2020年加拿大麦吉尔大学做的8×8的光开关，在Inp上做SOA，没有混合集成主要还是混合的工艺比较复杂，用SOA不仅起到通断的功能还能起到增益的作用，用来弥补芯片的损耗，因为三五族的损耗比硅要大一些，这篇文章主要创新之处是用SOA实现几乎无损的8×8的光开关。

它包括三个阶段的2×2开关到一个8×8banyan架构，共48个SOA。每个光路上的三个SOA 提供收益，以补偿片上和光纤耦合损失，从而使光开关无损。所有 64 条光路均显示无差错10 Gbps NRZ PRBS-31 ，信号与噪声比率至少为 30 dB，功率损耗小于0.9 db。

5.几种类型的比较

SOA型光开关的速度为纳秒量级，插入损耗较小，串扰较小，但功耗较大（需注入电流）。Mach-Zehnder型基于电光效应的光开关，其开关速度为ns量级，但是由于其使用了较多的3dB耦合器，其插损较大，并且插损较大。Mach-Zehnder型基于热光效应的光开关，其开关速度为毫秒量级。基于MEMS的片上光开关，其速度为亚微秒量级，串扰较小。