半导体工艺（六）湿法刻蚀

上一篇简单介绍了湿法刻蚀和干法刻蚀以及它们的优缺点。这一篇主要着重讲解在湿法刻蚀基本原理以及在刻蚀过程中需要注意的关键点。例如：刻蚀所需用到的各种溶液以及之间配比；在刻蚀中主要的影响因素和其解决方法等等。

首先在湿法刻蚀基本原理是待刻蚀的材料以浸没的形式在特定的溶液中进行腐蚀，使材料和溶液进行一系列的化学反应，从而达到一个腐蚀（刻蚀）的效果。同时要清楚并了解主要的半导体材料；一些常见的酸、碱和溶剂；半导体制程中会用到的金属；在湿法刻蚀中所用到的设备等等。湿法我认为就两个大致目的：一、清洗。二、腐蚀（刻蚀）。常见湿法用处：基材（晶圆）预处理、掩膜准备、刻蚀过程及其控制、刻蚀后处理。

一、半导体材料（主要）以及常用的金属

第一代：锗（Ge）、硅（Si）为主

第二代：砷化镓(GaAs)、 磷化铟(InP)、 锑化铟(InSb) 和硫化镉(CdS) 等I-V族化合物材料为主

第三代：碳化硅(SiC)、 氮化镓 (GaN)、 氧化锌(ZnO)和氮化铝(AIN) 等为代表

常用的金属：铝（Al）、铜（Cu）、铬（Cr）、钛（Ti）、铂（Pt）、金（Au）、银（Ag）等

这些材料先提一下，会在以后的文章里详细分析各个材料的特征以及优缺点。

二、常用的湿法酸、碱、溶剂以及设备

1、酸 ：氢氟酸（HF）、盐酸（HCL）、硫酸（H2SO4）、磷酸（H3PO4）、硝酸（HNO3）、醋酸（CH3COOH）、缓冲氧化刻蚀BOE(49%HF水溶液：40%NH4F水溶液=1：6（体积比）的成分混合而成)

2、碱：氢氧化钾（KOH）、氢氧化钠（NAOH）、氢氧化铵（NH4OH）、氢氧化四甲基铵（TMAH）等

3、溶剂：超纯水、丙酮（acetone）、异丙醇（IPA）、二甲苯（Xylenes）、三氯乙烯（TCE）等

4、配合使用的设备：磁力搅拌加热器、超声机、摇床等

三、常见的湿法腐蚀/处理

1、基材（晶圆）预处理

预处理一般是清洗。3个类型：1、颗粒2、有机/无机残留物3、需要去除的保护层（氧化层/牺牲层）

                                        

当然关于清洗还有非常多的方式和方法，例如RCA清洗，或者利用臭氧等等，这里就先不作详细介绍。

2、常见基材、钝化层以及金属的腐蚀

 大多数在进行湿法腐蚀工艺的时候为了能得到所需的结构，一般是先通过光刻工艺得到第一步的图形，利用光刻胶作为掩膜去腐蚀下一层材料，例如：Si、Sio2、SiN、Al等等。

当然还有光刻胶作为掩膜来腐蚀下面一层的金属薄膜，那么下图主要是常见金属的腐蚀方式方法

3、刻蚀控制

在湿法刻蚀过程中所需要控制的是刻蚀速率从而把握时间控制刻蚀的一个深度。为了保证刻蚀的均匀性，一致性以及准确性要注意几个因素。温度、刻蚀溶液的配比比例以及浓度等等。通过这调节控制这些参数，从而实现刻蚀速率以及刻蚀深度的一个把控。

4、刻蚀后的处理

在湿法刻蚀后一般需要用大量的超纯水进行冲洗，或者通过其他方式对晶圆进行清洗，以便于下一步的工艺加工。如果用到了配套使用的设备需要及时进行清洗维护等等。

5、安全防护

湿法刻蚀毕竟是涉及到多种化学品，在工艺时必须做好防护措施。

  

小结：对于湿法刻蚀我个人觉着首先需要确定好被刻蚀的材料，根据其性质选择相对的刻蚀溶液。再选择保护的掩膜，同时在其他部分材料不被腐蚀的情况下再进行腐蚀。例如晶圆是磷化铟衬底，同时晶圆表面有着一层牺牲层也是磷化铟，在这时去除牺牲层的时候需要在晶圆背后贴上保护膜（蓝膜）。

以上内容仅供参考，若有错误或者表述不妥的地方，希望大家及时反馈，我加以改正。

还是点赞过20的话，下一篇主要更新常见材料的干法刻蚀配方。