半导体工艺（七）干法刻蚀1.0

前面几篇主要讲解了刻蚀分类中的湿法刻蚀，基于湿法刻蚀的缺点以及特点。那么接下来主要讲解干法刻蚀。

干法刻蚀（dry etching） ：是指以气体为主要媒体，气体在一定条件下以等离子的状态下进行薄膜的刻蚀技术。过程是以物理轰击反应或者化学反应进行刻蚀。

三种干法刻蚀技术：等离子体、离子铣、反应离子刻蚀（RIE）。（之间的比较会另外详细讲解）

干法刻蚀设备：磁场增强反应离子刻蚀设备、电容耦合等离子体刻蚀设备、电感耦合等离子刻蚀设备等等。（在以后的文章里会详细介绍相关的设备，今天在这里不做详细介绍）。

干法刻蚀中常见以及常用的气体如下：

气体分类小结：氯基气体、氟基气体、惰性气体（辅助性气体）等。

影响干法刻蚀的主要因素：

气体的成分（组合）、气体纯度以及所用气体之间的流量比、刻蚀过程中设备所提供的频率以及设定的功率大小、刻蚀过程时的腔压大小、样品的温度等等一系列因素。都会影响刻蚀的速率，选择性、均匀性以及刻蚀所得的轮廓。

由于干法刻蚀的内容偏多，还是本文点赞到20，下一篇更新一些关于干法刻蚀更详细的内容。