超辐射光源SLD

超辐射光源概念：自发辐射的光放大

先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别，这样可能更好的理解。

超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性，LED是纯粹的自发辐射，功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高，自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子，在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射，受激发射的光子从而呈指数型增加，由最初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点，即腔内损耗等于增益的时候。

对于光谱特性，SLD是最初的自发发射谱和LED相同，但在增益的过程中，靠近中心增益波长的光子得到更大的放大，远离中心增益波长的光子得到的较小的放大，从而使光谱变窄。

对于远场分布特性，SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向，由于LED是随机的自发辐射，方向也都是随机的，在这一方向的发散角是120°左右，而SLD在经过定向的自发放大后，发散角也得到了缩小，接近于LD的状态，一般为20°左右。

我觉得超辐射光源SLD就是加的电流比较高的LED，所以SLD有时候也叫做SLED。

SLD的是三个主要参数是功率、光谱范围与光谱调制深度。解释一下光谱调制深度，光谱调制深度是由于腔面不可完全去除的反射引起的谐振，可以根据公式看出增益是与光子本身的频率有周期性关系的。光谱调制深度的公式，可以看出是与SLD两端反射面的反射率有关，这里R1=R2=R。，当R=0时，调制深度就变为0，调制深度越小越好，在光谱上表现为纹波。

所以抑制F-P模式下的振荡是一个关键问题，前人也给出了多种方法，就有在SLD腔面后面引入非泵浦吸收区，在器件的端面镀增透膜以及使用倾斜端面。对于非泵浦的非吸收区会对减小功率

下面是SLD的三个主要的应用：

光纤陀螺：

在一个闭合光路中，从同一光源发出的两束光，相对传播，汇合到同一探测点将产生干涉，若该闭合光路存在相对于惯性空间的旋转，则沿正、反方向传播的光束将产生光程差，该差值与上旋转角速度成正比。

光纤会产生瑞利散射，当你的相干长度比较长时，散射光也会产生干涉，形成噪声。而且由于由于惯性旋转使正反向传播的光的相位差变化较小，我们需要精确的知道产生的光程差大小从而推断加速度的大小。

OCT：

若选择窄带光作为 OCT 系统 的光源，由于相干长度较长，随着参考光与信号光 光程差的变化，系统得到的干涉条纹的对比度不 会产生明显变化，这就无法准确推断光程差的变 化量。相反，若选择宽带光作为 OCT 系统的光 源，由于相干长度较短，在相干长度内，随着参考 光与信号光光程差的变化，系统得到的干涉条纹 的对比度会产生较大的变化，而在相干长度之外 时，因为不会发生干涉而得不到干涉条纹。因此， 探测器能够灵敏地检测到光程差的变化 ，使 OCT 系统具有较高的定位精度。

波分复用：

波分解复用器件将一宽谱光源分割成许多窄线宽的光波，从而用单一光源代替了传统的激光器光源，实现了单一光源的多波长输出