烧录类产品说明

一、按断电后是否保存分类：

1、非易失性存储器 (NVM)：

      断电后，存储的数据不会消失的存储器，主要分为两类ROM和FLASH 

ROM：

OTP ROM （ONE TIME PROGRAMBLE ）:一次编程只读存储器；

        高电压将数据编程写入，但抹除时需将线路曝光于紫外线下一段时间，数据可被清空。

PROM （Programmable read-only memory ）:可编程只读内存；

       内部有行列式的镕丝，可依用户（厂商）的需要，利用电流将其烧断，以写入所需的数据及程序，镕丝一经烧断便无法再恢复，亦即数据无法再更改。

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)：可擦可编程只读内存；

       高电压将数据编程写入，但抹除时需将线路曝光于紫外线下一段时间，数据始被清空，再供重复使用，与OTP不同的是封装时增设了透明窗口。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)：电可擦可编程只读内存；

        高电压可将数据编程写入、擦除，以byte为最小修改单位，电路成本高，可靠性较高，可擦除次数约100万次

FLASH：

       又称“闪存”，一种采用磁性物质记录信息的物质，磁性物质被磁化了就表示1，未被磁化就表示0。 以区块为最小修改单位，可反复读写约1万次

2、易失性存储器（RAM）：断电后，数据不保存的存储器

二、按可编程次数分类：

OTP(One-Time Programmable)：一次可编程

FTP(Few-Time Programmable)：几次可编程

MTP(Multi-Time Programmable)：多次可编程

三、OTP产品

OTP产品可分为浮栅 OTP、电熔丝 OTP、反熔丝 OTP

浮栅 OTP：

基于传统的浮栅技术，该技术以捕获浮栅上的电荷以对器件进行编程并通过耗尽电荷来清除编程。需要向器件施加高电压才能捕获和耗尽电荷，并且需要额外的光罩和制造步骤来完成标准 CMOS 工艺才能产生浮栅和绝缘氧化层。该类产品经过紫外线 (UV) 光照或辐射后可以擦除浮栅 OTP NVM 中的数据。

电熔丝 OTP：

该技术是IBM在2004年发明的，可以对芯片进行动态实时重新编程。概括地说，计算机逻辑通常被“蚀刻”或“硬连线”("etched" or "hard-wired")到芯片上，在芯片制造完成后不能更改，但使用电熔丝 OTP ，芯片制造商可以在芯片上的电路运行时进行更改。

电熔丝 OTP是保险丝从低电阻开始，默认是导通状态，当灌以较大的电流时切断电路。

反熔丝 OTP：

Anti-Fuse（反熔丝）是一种电气装置，其功能与保险丝相反。反熔丝从高电阻开始，默认是不导通状态，当灌以较大的电压时，可将其转换为永久性导电路径。