MOS管死区时间测试指导

MOS管死区时间测试指导书

一、测试目的：

对于应用到“H桥”的电路为防止上下臂直通，需要测试MOS管的死区时间以保证系统稳定。

二、典型电路：

涉密，自行搜索

图1 H桥典型电路
 

三、测试点选取：

由于MOS的开启和关断是通过Vgs压差判定的，所以我们测试的时候需要用两个示波器探头分别测试MOS管的G、S端。再加上需要比较两个管，所以需要四个示波器探头且尽量使用弹簧探头测试。

四、实际测试解析：

1、DUT处于工作状态，如电机可测试锁轴、高低速运动等工作场景；

2、实测波形：

图2 Q17-1关闭 Q114-1打开
 

3、测试说明：图2中示波器探头连接 C1--Q17-G1，C2--Q17-S1，C3--Q114-G1，C4--Q114-S1。

4、MOS开关判断：查找MOS管规格书发现Vgs(th)范围为1.2--2.5V，保险起见我们判定MOS关闭Vgs=1.2V，MOS管打开也为1.2V。

图3 MOS Vgs(th)
 

5、死区时间：已知MOS Vgs(th)，到图2中用光标卡C1、C2压差为1.2V到C3、C4压差为1.2V之间的Δt即为MOS的死区时间。

6、死区时间判定：目前公司无死区时间的换算以及功耗要求，现阶段无超高速要求项目保持死区时间＞0即可。

五、测试注意事项：

1、上述为上管关闭，下管打开场景，同组MOS还需要测试上管打开，下管关闭场景；

2、测试时尽量选择就近地；

3、测试尽量选择弹簧探针测试，可减少波形震荡，如无条件则至少测试一组弹簧探头波形做判定，下图4为弹簧探针实测波形；

图4 弹簧探头测试