模拟死区时间

在buck-boost电路中，如果不为互补PWM加死区时间，在电平翻转时，可能会出现同时为高电平。同时高电平的时间很短，示波器难以捕捉。在极短时间内（30ns左右），上下两个MOS管同时导通，导致MOS管烧毁，为解决该问题，需要引入死区时间。但是，部分芯片没有死区时间功能，为此需要开发者自己实现死区功能。

不互补PWM

在T1时刻可以通过，减小PWM2占空比，给PWM电平翻转流出足够的时间，避免出现同时高电平现象。为尽可能保证Vout=VinDuty1（Duty1：PWM1占空比；Duty2：PWM2占空比），需要合理的设置PWM占空比Duty2，既要保证T(1-Duty1-Duty2)>Tr（Tr：PWM电平翻转所需最小时间，包含MOS管开断时间；T：PWM周期），又要时1-Duty1-Duty2尽可能小。这样可以保证T1时刻PWM工作正常，不会同时高电平，T2时刻有待继续处理。

延时

为保证T2时刻，PWM工作正常，需要为PWM1添加延时。延时需要大于Tr（50ns），小于PWM1，PWM2高电平持续时间差值（n62.5ns），且n62.5-Delay>50ns，这样可以产生类似死区时间的效果。下图比较夸张，实际要做时，可能PW2占空比50%，PWM2占空比为48%，前后各延时1%占空比即可满足需求。

实操结果

最后，放两张实际的PWM波形图及代码。使用nop语句做的延时，与预估时间有些出入，T2时刻时间差171ns，T1时刻时间差50ns，1-Duty1-Duty2=5%。16M时钟频率，定时器分频1，定时器计数上限80，16MHz/80=200KHz，周期5us，差值时间250ns，PWM1，PWM2极性相反。200KHz PWM，64MHz时钟频率，STM32F103生成的死区时间比较漂亮，T1，T2时间差值几乎相等。

	hal_pwm_module_init();
	pwm_ch_t pwm_channel[3];		
    for(int i = 0; i < 2; i++)
    {
        pwm_channel[i].pwmN = (PWMN_e)(PWM_CH0 + (PWMN_e)i);
        pwm_channel[i].pwmDiv = PWM_CLK_NO_DIV;
        pwm_channel[i].pwmMode = PWM_CNT_UP;
        pwm_channel[i].pwmPolarity = PWM_POLARITY_RISING;        
        pwm_channel[i].cntTopVal = 80;         // 256 ybz   8000*62.5ns=500us    80*62.5ns=5us

    }
	pwm_channel[0].pwmPin = 0;
	pwm_channel[1].pwmPin = 4;
	
	pwm_channel[0].cmpVal = 22;   // 24-20 171.88ns 62.48ns  250ns
	pwm_channel[0].pwmPolarity = PWM_POLARITY_RISING;	
			
	pwm_channel[1].pwmPolarity = PWM_POLARITY_FALLING;	
	pwm_channel[1].cmpVal = 18;
	
	hal_pwm_ch_start(pwm_channel[0]);
	__asm("nop");  //ideal:62.5ns, in fact:171ns
//		__asm("nop");
	hal_pwm_ch_start(pwm_channel[1]);