Flash读写

FLASH简单的读、写操作

主存储器是以页为单位划分的。stm32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。

• 主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据。起始地址0x08000000，b0和b1接GND从这里开始执行程序。
• 信息块用于负责由stm32出厂时放置2KB的启动程序(BootLoader)和512B的用户配置信息区。启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，b0接3.3v，b1接GND运行的就是这部分代码 ，用作串口下载代码。
• 闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构 。在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理 。
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操作流程(详见STM32F1 开发指南（精英板-库函数版) )

1. 检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
2. 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的闪存操作
3. 设置 FLASH_CR 寄存器的 PER 位为’ 1’
4. 用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页
5. 设置 FLASH_CR 寄存器的 STRT 位为’ 1’
6. 等待 BSY 位变为’ 0’
7. 读出被擦除的页并做验证

库函数级的操作流程

1. 确定要写入Flash的首地址（稍后介绍确定地址的方法）
2. 解锁Flash
3. 对Flash进行操作（写入数据）
4. 对Flash重新上锁

要想选定安全的Flash地址进行读写，可以根据自己的STM32 MCU型号，查找数据手册，确定FLASH的地址区段，因为起始段会存储代码，所以一定要避开起始段，以避免数据错误。（我一般是根据Flash大小计算Flash的最末尾地址，往前推一段地址空间，在这里一般不会对代码中的数据产生覆盖等影响）这里采用的是STM32F103（大容量产品）写入的首地址为0x0807F800；

• 添加STM32 flash底层固件库文件stm32f10x_flash.c

编写自己的Flash驱动库文件,如下

Flash.h

#ifndef __FLASH_H
#define __FLASH_H 			   
#include "sys.h"
 

void FLASH_W(u32 add,u16 dat);
u16 FLASH_R(u32 add);

#endif

Flash.c

#include "flash.h"

//FLASH写入数据
void FLASH_W(u32 add,u16 dat){ //参数1：32位FLASH地址。参数2：16位数据
//	 RCC_HSICmd(ENABLE); //打开HSI时钟
	 FLASH_Unlock();  //解锁FLASH编程擦除控制器
     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
     FLASH_ErasePage(add);     //擦除指定地址页
     FLASH_ProgramHalfWord(add,dat); //从指定页的addr地址开始写
     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
     FLASH_Lock();    //锁定FLASH编程擦除控制器
}

//FLASH读出数据
u16 FLASH_R(u32 add){ //参数1：32位读出FLASH地址。返回值：16位数据
	u16 a;
    a = *(u16*)(add);//从指定页的addr地址开始读
return a;
}

main.c

#include "stm32f10x.h" //STM32头文件
#include "sys.h"
#include "delay.h"
#include "led.h"
#include "key.h" 

#include "flash.h" 

#define FLASH_START_ADDR  0x0807F800	  //写入的起始地址


int main (void){//主程序
	u8 key;
	u16 a; //定义变量
	//初始化程序
	RCC_Configuration(); //时钟设置
	LED_Init();//LED初始化
	KEY_Init();//按键初始化

  a = FLASH_R(FLASH_START_ADDR);//从指定页的地址读FLASH

	//GPIO_Write(LEDPORT,a); //直接数值操作将变量值写入LED（LED在GPIOB组的PB0和PB1上）

	//主循环
	while(1){
		key = KEY_Scan(0);
		if(key == WK_UP_PRES){
				a++;
				if(a>1)a=0;
				FLASH_W(FLASH_START_ADDR,a);
		}else{
				delay_ms(10);
		}
		LED0=a;
		
    }
}

Flash操作注意事项：

1. 操作一定要先擦后写
2. 每页是1024个地址，起始地址0x08000000
3. 擦除操作以页为单位，写操作必须以16位宽度为单位，允许跨页写入。
4. STM32内置Flash擦或写时，必须打开外部/内部高速振荡器。
5. Flash可最多擦写10万次，不可死循环擦写。
6. 擦写时要避开用户程序存储的区域，否则会擦掉用户程序导致错误。
7. 擦除一页要10ms（对于1k大小的一页），比较慢，而且不能单个字节的擦写。