应用
磁珠具有优异的抑制电磁干扰(EMI)性能,磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰,还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠是用来吸收超高频信号,像一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠。
单位
标称阻抗@测试频率,磁珠的单位是欧姆。磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的,阻抗的单位也是欧姆。比如100Ω@100MHz。
选型
根据抑噪声频率选择磁珠,使噪声频率在磁珠的谐振频率附近,磁珠的阻抗在 EMI 噪声频率处最大。至于谐振时阻抗选择多大阻值,根据对噪声的衰减程度选择,大衰减就用大阻值,小衰减就用小阻值。比如如果 EMI 噪声的最大值在 100MHz,那选择的时候就要看磁珠的特性曲线,其阻抗的最大值应该在 100MHz 左右。
直流电源线上应用磁珠,期望是滤除所有EMI噪声,因此磁珠频率特性曲线比较平缓。 电源电路工作频率低,无需考虑磁珠高频阻抗对电路的影响。
信号线用磁珠只期望滤除特定频率噪声,因此信号线用磁珠频率特性曲线比较陡峭。
磁珠应用于电源线:
假设电源额定电压3.3V、额定电流300mA,电路板上的远端IC要求电源电压最低不得低于3.0V,并且要求对于100MHZ、300mVpp的噪声,经过磁珠滤波后能达到50mVpp的水平。
1、则对于100MHz的信号,300mV的噪声需要滤波后衰减到50mV,意即在磁珠上分压要达到250mV,假设负载RL=50Ω。则Rac/RL=250/50,其中RL=50Ω,得Rac=250Ω(在100MHz时)。
2、电源额定电流300mA,降额系数按照0.75,则选择最小额定电流不低于300mA/0.75=400mA的磁珠;
3、IC要求电源电压最低不得低于3.0V,则磁珠上直流电阻Rdc上的最大压降须不大于0.3V,即300mA*Rdc<0.3V,得Rdc<1Ω。
4、综上计算,得出为满足题目要求的条件,需选择磁珠指标符合以下要求:Rac≥250Ω(在100MHz时)、额定电流不低于400mA、Rdc<1Ω。
5、磁珠尺寸越大越好,阻抗频率特性平缓。
特性
1、阻抗随频率变化的电阻器。磁珠可以等效为电感、电阻、电容三者并联然后再串联一个电阻,这些阻容感的值都非常小,如下图所示,图中的R2是固定阻值,即直流电阻(DRC),L1、R2、C1三者并联和频率相关,也就是说他们的阻抗随着频率变化而变化。
![](https://img-blog.csdnimg.cn/f4199944453849c3938bbaf3d1f21190.png)
2、下图为某款磁珠的频率特性曲线:R代表阻抗实部,X代表阻抗虚部,Z代表阻抗模,表示的是实部R和虚部X矢量和的大小Z=R+jX。当虚部X较小的时候,矢量角很小,阻抗模Z和阻抗R大小基本差不多,因为磁珠主要应用在谐振频率附近,这时候虚部很小,也就是矢量角小,此时阻抗模基本等于阻抗。
![](https://img-blog.csdnimg.cn/ed3355ae99f047e5ba798d6bdce320ce.png)
结合上面的等效电路,随着频率升高,X由正值逐渐变为负值,当X=0时,磁珠呈现纯电阻特性,此时处于谐振状态,阻抗最大,此时的频率称为谐振频率。转换点(交叉频率)是R和X值相等处的频率。在低频段,X起主导,体现电感性,功能是反射噪声;在⾼频段,R起主导,体现电阻性,功能是吸收噪声并将噪声转换为热。转换点频率越⾼,磁珠体现电感性的频带越宽,对低频噪声的吸收能⼒越弱;转换点所在频率越低,磁珠体现电阻性的频带越宽,对低频噪声的吸收能⼒越强。当频率大于谐振频率时,X为负值,磁珠呈现容性。当频率小于谐振频率时,X为正值,磁珠呈现感性。这款磁珠的谐振频率在500MHz左右。