从基础到实践（六）：常见二极管类型深度解析

硬件进化论

已于 2025-03-04 22:32:01 修改

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文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2025-03-01 13:09:30 首次发布

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1. 整流二极管（Rectifier Diode）

核心功能：将交流电（AC）转换为直流电（DC）。
结构与特点：

材料：硅（Si）为主，耐高温，漏电流小。
封装：多为通孔式（如DO-41）或大功率贴片（如TO-220）。
参数特性：
- 高反向耐压（VRRM）：典型值50V~1000V（如1N4007耐压1000V）。
- 大电流（IF）：1A~50A（如1N5408支持3A连续电流）。

典型应用：

电源适配器、充电器中的桥式整流电路。
工频（50/60Hz）场景，如家用电器电源模块。

选型要点：

电压裕量：VRRM至少为输入峰值电压的2倍（如220V交流输入需选VRRM≥600V的型号）。
散热设计：IF≥3A时需加散热片或选择TO-220封装。

型号示例：

型号	VRRM (V)	IF (A)	封装
1N4007	1000	1	DO-41
1N5408	1000	3	DO-201AD
GBPC3510	1000	35	桥式模块

2. 肖特基二极管（Schottky Diode）

核心功能：高频开关、低功耗整流。
结构与特点：

材料：金属-半导体结（如铂-硅），无PN结，无少数载流子存储效应。
优势：
- 超低正向压降（VF）：0.2~0.5V（比硅二极管低50%）。
- 高速开关：反向恢复时间（trr）<10ns，适合MHz级高频应用。
劣势：反向漏电流较大（μA级），耐压较低（一般<200V）。

典型应用：

开关电源的续流二极管（如Buck电路中的SS34）。
高频信号检波（如射频模块）。

选型要点：

高频场景：优先选trr<10ns、结电容（Cj）<50pF的型号。
耐压选择：避免反向电压超过VRRM的80%。

型号示例：

型号	VRRM (V)	IF (A)	VF (V)	封装
SS14	40	1	0.5	SMA
1N5819	40	1	0.6	DO-41
MBRS340	40	3	0.45	TO-263

3. 稳压二极管（齐纳二极管，Zener Diode）

核心功能：利用反向击穿特性实现电压稳定。
结构与特点：

掺杂浓度：高掺杂，击穿电压（VZ）精准（误差±5%或±1%）。
工作模式：反向偏置，击穿后电流变化大但电压稳定。

关键参数：

稳压值（VZ）：1.8V~200V（如1N4733A为5.1V）。
功率（PZ）：常见0.5W~5W，需搭配限流电阻使用。

典型应用：

低精度电压基准（如为ADC提供参考电压）。
过压保护（并联在敏感器件两端）。

设计公式：

限流电阻
（IZ需大于齐纳最小工作电流，通常1~5mA）

型号示例：

型号	VZ (V)	功率 (W)	误差
1N4733A	5.1	1	±5%
BZX55C12	12	0.5	±2%
1N5349B	12	5	±5%

4. TVS二极管（瞬态电压抑制二极管）

核心功能：吸收瞬态高压（如ESD、雷击），保护后端电路。
结构与特点：

响应时间：<1ps，远超压敏电阻（MOV）。
钳位电压（Vc）：在IPP电流下的最大电压值。

关键参数：

峰值脉冲功率（Pppm）：400W~3000W（如SMAJ5.0A为400W）。
击穿电压（VBR）：需高于电路正常工作电压（如5V系统选VBR≥6.4V）。

典型应用：

通信接口防护（如RS485、USB的D+/-线）。
电源输入级浪涌保护（与保险丝、GDT配合使用）。

选型步骤：

确定电路正常工作电压 Vnormal。
选择 VBR≥1.2×Vnormal。
根据浪涌等级（如IEC61000-4-5）选择 Pppm。

型号示例：

型号	VBR (V)	Vc (V) @IPP	封装
SMAJ5.0A	6.4	9.2@1A	SMA
SMBJ12CA	14.3	19.9@1A	SMB
5KP30A	33.3	48.4@5A	DO-201AD

5. 发光二极管（LED）

核心功能：电致发光，用于指示、照明、光通信。
结构与特点：

材料：
- 红光：GaAsP，波长620-630nm，VF≈2.0V。
- 蓝光：InGaN，波长450-470nm，VF≈3.2V。
光效：白光LED可达100-200 lm/W（远超白炽灯）。

关键参数：

正向电流（IF）：小功率LED为20mA，高亮度LED可达1A。
视角：30°（聚光型）到120°（散射型）。

驱动设计：

恒流驱动：避免电流波动导致亮度变化或烧毁。
PWM调光：通过占空比调节亮度，避免色温偏移。

型号示例：

型号	颜色	VF (V)	IF (mA)	亮度 (lm)
5mm Red	红	2.0	20	2-5
CREE XHP70	白	12	1200	4000
Osram SFH	红外	1.3	100	N/A

6. 快恢复二极管（Fast Recovery Diode）

核心功能：高频开关电源中的高效整流。
结构与特点：

反向恢复时间（trr）：50ns~500ns（普通整流二极管trr>1μs）。
材料工艺：掺金或铂减少载流子寿命，加速关断。

典型应用：

开关电源次级整流（如反激式电源的输出整流）。
逆变器中的续流二极管。

选型对比：

型号	trr (ns)	VRRM (V)	IF (A)
FR107	500	1000	1
UF4007	75	1000	1
STTH8S06	35	600	8

7. 变容二极管（Varactor Diode）

核心功能：电压控制的可变电容，用于调谐电路。
关键参数：

电容比（( C_{max}/C_{min} \））：5:1至20:1（如BB139为10:1）。
Q值：高频下需Q>100以减少损耗。

应用电路：

VCO（压控振荡器）：通过调节反向电压改变谐振频率。
FM调频电路：调整载波频率。

型号示例：

型号	电容范围 (pF)	电压范围 (V)
BB139	2~18	0~30
MV2109	10~60	0~20

选型对比总结表

类型	核心优势	局限	典型场景
整流二极管	高耐压、大电流	低速（kHz级）	工频电源整流
肖特基二极管	超高速、低损耗	耐压低、漏电流大	高频开关电源
稳压二极管	精准电压基准	功率小、需限流	低精度稳压、过压保护
TVS二极管	瞬态响应极快	成本较高	ESD/浪涌防护
快恢复二极管	平衡速度与耐压	效率低于肖特基	逆变器、反激电源
变容二极管	电压调谐灵活	Q值受限	射频调频、VCO