MOS管电平转换电路学习

在电路设计中,遇到MOSFET电平转换电路导致模块启动失败的问题。原因为模块通信引脚在上电时需通过电阻下拉至GND,而转换电路造成电压过高。解决方案是调整上拉电阻值或改用三极管电平转换电路,确保模块正常启动。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

最近在设计中遇到一个简单,但是稍不注意就出错的问题,在此分享一下。

在电路开发过程中,我们经常遇到两个系统电平不一致的情况,比如IIC和UART通信等。使用MOSFET搭建双向电平转换电路,是比较常见的做法,电路如图1中虚线框所示,MOS管的部分参数如图2所示。
在这里插入图片描述

图1
在这里插入图片描述
图2

电路原理很简单,分两种情况:

1.从A到B
A为高电平时,MOS管关断,B端通过上拉,输出高电平;
A为低电平时,MOS管内的体二极管导通,使MOS管的S极被拉低,从而使Vgs=3.3V>Vgs(th)=1.6V,MOS管导通,B端被拉低,输出低电平;
A为高阻态时,MOS管关断,B端通过上拉,输出高电平。

2.从B到A
B为高电平时,MOS管关断,A端通过上拉,输出高电平;
B为低电平时,此时Vgs约等于3.3V>Vgs(th)=1.6V,MOS管导通,A端被彻底拉低,输出低电平;
B为高阻态时,MOS管关断,A端通过上拉,输出高电平。

一直以来使用这个电路没有出现过问题,所以这次也是不假思索的照搬过来,但结果是上电后,模块B无法正常启动工作。

出现该问题的原因也很简单,就是模块B的通信引脚除了通信之外,还有其他作用,如图1所示,其在上电时需要通过10K电阻R3下拉到GND实现低电平,并维持一段时间,以确保模块B能正常启动。但如果直接使用该转换电路,示波器测量到的模块B引脚电平,在上电瞬间的波形如图3所示,可以看到幅值在2.3V左右,已经达到了模块B的高电平标准,因此,模块B启动失败,之后该引脚一直输出为低电平。
在这里插入图片描述

图3

分析下工作过程,上电瞬间,B点电压是3.3V通过R2和R3分压后得到,理论值等于2.2V,与实测波形接近。在该电路中,信号流是从B到A单向传输的,因此想到可以去掉电阻R2,那样B点在上电瞬间就不会有上拉电压,但是实际去掉R2后,模块B依旧无法启动。进一步分析,在上电瞬间B点电压确实为0,但是也因此导致Vgs=3.3V,MOS管导通,R3又和上拉电阻R1形成了分压关系,导致B点无法拉到低电平。

因此,如果想要继续使用该电平转换电路的话,必须加大上拉电阻R1和R2的值,使分压后的B点电位达到低电平标准,但是上拉电阻改的太大的话,A端高电平可能会有问题,所以最终选择使用两个三极管组成的电平转换电路,如图4所示,问题解决。
在这里插入图片描述

图4

### 使用MOS管设计单向电平转换电路的方法和原理 #### 单向电平转换的基本概念 单向电平转换是指在一个方向上传输信号,而不需要考虑反向传输的情况。这种类型的电平转换通常应用于数据通信中的发送端或接收端,其中只需要将一个电压域的信号转换为另一个电压域即可。 #### MOS管的工作机制 MOS管是一种场效应晶体管,其工作基于栅源电压 \( V_{GS} \) 的大小决定漏极和源极之间的导通状态。对于N沟道增强型MOS管来说,当 \( V_{GS} \geq V_{th} \)(阈值电压)时,MOS管导通;反之则截止[^3]。 --- #### 设计方法与原理 ##### 方法一:低电平到高电平转换 在这种情况下,输入信号是从较低电压域(如 3.3V)转换至较高电压域(如 5V)。可以通过以下方式实现: 1. **电路结构** - 输入信号连接到MOS管的栅极。 - 源极接地。 - 漏极通过上拉电阻连接到目标电压域(如 5V)。 2. **工作原理** 当输入信号为低电平时 (\( V_{in} = 0V \)),\( V_{GS} = 0V \),因此MOS管处于截止状态,输出端由上拉电阻保持在高电平 (5V)。 当输入信号为高电平时 (\( V_{in} = 3.3V \)),如果该电压足以使MOS管导通 (\( V_{GS} > V_{th} \)),那么MOS管开启并将输出端拉低至接近地电位。 ```plaintext +5V | R_up | ----|---- Output | / Input ---G---/ M OSFET S--- | GND ``` ##### 方法二:高电平到低电平转换 此场景下,输入信号来自较高电压域(如 5V),需将其转换成较低电压域(如 3.3V)。 1. **电路结构** - 输入信号接至MOS管的栅极。 - 源极接到目标电压域(如 3.3V)。 - 漏极作为输出端并串联限流电阻以防过载。 2. **工作原理** 若输入信号为低电平 (\( V_{in} = 0V \)),由于 \( V_{GS} = 0V \),MOS管不会导通,故输出端呈现高阻态,默认跟随源极电压即 3.3V。 如果输入信号变为高电平 (\( V_{in} = 5V \)) 并且超过门限电压,则MOS管进入饱和区,使得输出端被钳制于近似零伏特附近。 ```plaintext +3.3V | Source | -----|----- Output D / Input --G--/-- MOSFET S----- | GND ``` --- #### 注意事项 - 上拉电阻的选择应综合考量功耗需求与响应时间。较小阻值能加快充放电过程但增加静态电流消耗;较大阻值虽节省能量却可能引起较慢切换速率。 - 需要确认所选MOS管的最大允许 \( V_{GS} \) 是否适应实际应用场景下的高低压差范围以免损坏元件。 ---
评论 3
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值