CS信号(片选信号)经常都是低电平有效

为什么许多芯片的CS信号(片选信号)经常都是低电平有效?
1)、如果只有一片这样的芯片,若是高电平有效,则要求接到Vcc,但有的用户总认为悬空该端是同样有效的,因此在外部强干扰或太潮湿条件下,会使电路工作失常。但如果是低电平有效,只需简单的将该片选端直接接GND即可,使用者不得不将该端接到指定电平上,是不能偷懒的。
2)、如果你是芯片生产商,你会期待你的产品有更大的使用范围,无论是专业、严谨的工程师,还是普通用户都能够得心应手地使用你的产品,基于1)的原因,你又何乐而不为呢?
3)、大多数的地址译码器输出端,都是低电平有效,这样,只需将该输出端直接接到制定芯片的片选端即可,如果是高电平有效,还要经过反相器转换一次,显得麻烦。
4)、当然,也有部分芯片的片选信号是高电平有效,这是为了使用者的方便,按照要求使用是不会有什么问题的。

主要是为了降低功率,因为选中信号输出时,地址译码器输出端为低电平,此时译码器不输出功率;选中信号没有输出(不选中)时,译码器输出端为高阻状态,输出消耗功率也为0。因此芯片的CS信号采用低电平有效可以最大程度减小片选控制的功率消耗。
此外,低电平有效也可以最大程度地减小干扰和保证控制的可靠性。低电平有效时,外部的任何干扰都不能进入被控制的芯片,因而保证芯片的可靠工作。这样在干扰信号能够进入芯片时是在芯片不工作时(片选无效),也就是说,干扰信号对芯片的工作没有影响。而若采用高电平有效,在芯片工作时不要说外部干扰信号能够很容易地进入芯片干扰,造成各种误动作,就连电源的任何波动都可能影响芯片的正常工作

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好的,我来回答你的问题。首先,我需要说明一下,我是一个自然语言处理AI,并不支持使用硬件描述语言进行设计。但是,我可以给你提供一个基本的RAM存储器的设计思路。 RAM存储器是一种用于存储数据的电子器件,它可以按照地址读写数据。我们可以使用Verilog硬件描述语言来实现一个存储深度和数据宽度可以配置的RAM存储器,其代码如下: ```verilog module ram ( input clk, rst, cs, rd, wr, input [M-1:0] addr, inout [N-1:0] data_out ); reg [N-1:0] mem [0:(2**M)-1]; always @(posedge clk) begin if (rst) begin for (int i = 0; i < (2**M); i = i + 1) begin mem[i] <= 0; end end else begin if (cs) begin if (rd) begin data_out <= mem[addr]; end else if (wr) begin mem[addr] <= data_out; end end end end endmodule ``` 在这个RAM存储器模块中,我们定义了输入输出信号包括时钟信号`clk`、异步复位信号`rst`、片信号`cs`、读写控制信号`rd`和`wr`、地址`addr`,以及双向数据总线`data_out`。其中,`M`表示存储深度,`N`表示数据宽度,可以根据实际需求进行配置。 在`always`块中,我们根据输入信号`rst`、`cs`、`rd`和`wr`的状态进行存储器的读写操作。当复位信号`rst`电平有效时,RAM内部数据清零;读写操作必须在片信号`cs`电平有效时进行;当读信号`rd`电平有效时,进行存储器读操作;当写信号`wr`电平有效时,进行存储器写操作。 以上是一个简单的RAM存储器的设计思路,可以根据实际需求进行修改和优化。

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