LDO的原理以及重要指标

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本文告诉你三件事：

1. LDO的基本原理。
2. LDO都有哪些参数，有什么意义。
3. 选型时的注意事项

1.LDO基本原理

LDO是Low Dropout Regulator的缩写，意思是低压差线性稳压器。

低压差 是指输入电压-输出电压的值比较低。传统的线性稳压器压差高达2V，而LDO的压差只有几百mV。

线性 是指PMOS基本处于线性工作状态（传统的线性稳压器是PNP原理，也工作在线性放大状态）。

稳压器 是指在正常的VIN范围内，输出VOUT都稳定在一个固定值，这个固定值就是我们想要的电压值。比如VIN是电池电压3~4.4V，VOUT始终保持2.7V输出。

下图是一个简单的LDO原理框图：

LDO是一个负反馈系统，当VOUT增大，R2上电压增大，放大器输出电压增大，PMOS的VGS电压减小，这样PMOS输出电流减小，电压也减小。所有的LDO都是同样的负反馈原理。

我们经常拿LDO与DCDC做对比，两者的原理差别很大，特性也不一样：LDO简单，功率小，效率低，噪声非常低。DCDC复杂，功率大，效率高，噪声也很高。

重点说明一下，LDO有非常好的噪声隔离作用，具体指标是PSRR，它表示输出噪声对输入噪声的比值。在一些对噪声敏感的电路中，如ADC，DAC，Camera sensor模拟电压等，必须选择LDO，而且是高PSRR的LDO，而不是DCDC。下文解释一些LDO的关键技术指标。

2.LDO关键参数的理解

以TOSHIBA的TCR3DG系列LDO为例，解释一下LOD的各项参数指标。这个系列的LDO在手机行业应用非常多。

2.1压差（Drop-out Voltage）

压差是指保证VOUT输出电压、电流情况下，VIN与VOUT的最小电压差。这个压差可以理解为LDO输出电流在PMOS上的压降。PMOS有导通电阻，假设VIN=3.4V，VOUT=3.2V，输出电流300mA，则可以推算出PMOS的内阻是

LDO工作必须满足压差要求，但压差不是一个固定值，它与IOUT大小有关。下图是一个VOUT=1V的LDO的输出电流与压差要求的关系曲线，可见输出电流越小，对压差要求也越小。压差越小，LDO的效率越高。所以尽量不要让LDO工作在接近极限的大电流状态，否则效率很低，LDO发热严重，容易烧毁。

2.2效率

LDO效率定义如下：

其实IOUT和IIN基本是相等的，因为IIN就比IOUT多了个IGND，这个电流非常小，几乎可以忽略。所以效率公式简化如下。

可以简单把LDO看做是一个稳压管，压差越小，LDO的效率越高。

2.3静态电流（IQ）

静态电流Quiescent Current是外部负载电流为0时，LDO内部电路供电所需的电流。内部电路包括带隙基准电压源、误差放大器、输出分压器以及过流和过温检测电路。这个电流经过从LDO的GND流出。

静态电流受温度和输入电压影响较大，高性能的ADI品牌LDO可能做到静态电流对温度电压不敏感。下面两幅图是一个普通的LDO静态电流随VIN和温度变化的曲线。常温下静态电流一般在uA和nA级别。


当输出电流增大时，这个时候的静态电流IQ，我们称期为IGND，某些大功率的LDO，IGND也到了mA的级别：

大部分LDO的IQ很小，它是衡量LDO在低负载情况下的自身消耗的一个重要指标，IQ越小越好。在消费类电子领域，低IQ有利于更长的续航时间，低IQ值显得尤为重要。

2.4关断电流

LDO的输出使能管脚ENn拉低后，VOUT=0V，此时VIN上消耗的电流就是关断电流IQ（OFF）。关断电流最高不会超过几个uA。

2.5负载瞬态响应Load Transient Response

负载电流IOUT阶跃变化时，输出电压VOUT的变化率。它与输出端的电容值，电容的ESR，LDO控制环路的增益带宽以及负载电流变化的大小和速率有关。文章开头已经讲了，LDO是一个负反馈回路，其相位裕量越大，负载的瞬态响应越好。下图是ADP165和TCR3DG的瞬态响应对比。第一幅图VOUT电压变化了约5.7%，第二幅图VOUT变化了2.6%。东芝的LDO胜出。

有些厂家用电流负载调整率来表示这个值，公式如下：
负载调整率=∆VOUT/∆IOUT
道理是一样的。

这个指标对输出纹波有影响，越小越好。

2.6线路瞬态响应Line Transient Response

表示VIN阶跃变化，VOUT的变化情况，如下图。输出电压偏差显示了环路带宽和PSRR的特性，对于1.5us内的2V变化，输出电压变化约2mV，表明1KHz是PSRR约为60dB。当VIN缓慢变化时，可能只会看到一个凹陷，没有振铃。

有些规格书称这个指标为电压负载调整率，并给出了公式，电压负载调整率=∆VIN/∆VOUT。道理是一样的。

Line Transient Response 随负载电流增加而变差，因为LDO的总环路增益不断降低。此外，LDO的功耗也随着电压差的增大而增加，这会导致PMOS结温升高而使带隙电压和内部失调电压降低。

这个指标对输出纹波有影响，越小越好。

2.7电源抑制比PSRR

表示LDO对VIN上的噪声的抑制能力，公式如下：

100K到1MHz内的PSRR非常重要，这个是DCDC的噪声频率范围，LDO经常作为DCDC的下一级，要有能力滤除来自DCDC的大量噪声。

在ADC，DAC，Camera的AVDD供电上，我们要选择PSRR大于80dB（@100Hz）的LDO。

LDO的环路控制往往是确定电源抑制性能的主要因素，同时大容量，低ESR的电容对电源一直也非常有用，建议选择陶瓷电容。

PSRR与频率有关，LDO的规格书一般会给出几个频点的PSRR值。

PSRR与IOUT有关，通常情况下，轻载的PSRR高于重载。PSRR与LDO的相位裕量也有关系，这些关系请参考ADI文章《理解低压差稳压器（LDO）实现系统优化设计》。

2.8输出噪声电压

恒定输出电压电流，VIN上无纹波，给定范围内（10Hz~100KHz），VOUT上的噪声电压RMS。这部分噪声主要来自于LDO内部基准电压源和误差放大器。如下是某LDO的噪声水平，通常在uV级别。

LDO输出噪声的另一种表示方式是噪声频谱密度。只有高精度，低噪声电路上才需要关注这个参数。

2.9 自放电功能

LDO关闭后，负载电容上仍然后电量。LDO在下次输出时，会因为这个电量，产生一个快速的Voltage Spike，虽然幅度不高，但对后级电路也会有破坏性。带自放电功能的LDO能在LDO关闭输出后，泄放输出电容上的点电量。

3.LDO的输出稳定性要求

LDO是一个负反馈系统，VIN和VOUT上的电容值，ESR都会影响这个系统的稳定性，最主要是ESR在影响稳定性。在LDO的规格书中，都会列出对输入电容CIN和输出电容COUT以及ESR的要求。一定要遵守这个要求。

TCR3DG规格书中要求COUT的ESR不得大于10Ω，位置靠近LDO，没有其他明确要求，但是推荐CIN和COUT都用1uF。

ADP165规格书中要求CIN和COUT最小值0.7uF，ESR在0.001~0.2Ω之间。

LP5907SNX-1.8的规格书要求CIN＞0.7uF；COUT=1uF-10uF，ESR=0.005~0.5Ω。

所以几乎每一家的LDO，CIN和COUT都要求1uF以上，ESR越低越好，最好小于100mΩ，但也不能太小，低于几个mΩ也可能使LDO工作不稳定。

4.LDO选型参考

1. 确定输出电压VOUT，建议选择固定输出电压的，不要选有ADJ功能的，这样节省器件，降低干扰。
2. 确定输出电流IOUT，至少留25%裕量。
3. 确定压差是否合适，一定要查看规格书上，对应最大电流的最小压差要求。
4. 确认封装，手机上一般用1x1 CSP的LDO
5. 确认PSRR，如果用在低噪声场合，一定要选择高PSRR（80dB以上）的LDO，建议在80dB以上。
6. 如果是电池供电，对续航要求很高，一定要选择IQ低的LDO。
7. 注意LDO的CIN和COUT要求，千万不要错。
8. 如果要快速响应，可以选择带偏置电压的LDO。

LDO的技术指标理解及应用 - 知乎

LDO基本原理

LDO是Low Dropout Regulator的缩写，意思是低压差线性稳压器。低压差 是指输入电压-输出电压的值比较低。传统的线性稳压器压差高达2V，而LDO的压差只有几百mV。线性 是指PMOS基本处于线性工作状态（传统的线性稳压器是PNP原理，也工作在线性放大状态）。稳压器 是指在正常的VIN范围内，输出VOUT都稳定在一个固定值，这个固定值就是我们想要的电压值。比如VIN是电池电压3~4.4V，VOUT始终保持2.7V输出。下图是一个简单的LDO原理框图：

LDO是一个负反馈系统，当VOUT增大，R2上电压增大，放大器输出电压增大，PMOS的VGS电压减小，这样PMOS输出电流减小，电压也减小。所有的LDO都是同样的负反馈原理。

在选择低压降线性调节器(LDO) 时，需要考虑的基本问题包括输入电压范围、预期输出电压、负载电流范围以及其封装的功耗能力。但是，便携式应用需要考虑更多问题。接地电流或静态电流 （IGND 或 IQ）、电源波纹抑止比 (PSRR)、噪声与封装大小通常是为便携式应用决定最佳 LDO 选择的要素。

输入、输出以及降低电压

选择输入电压范围可以适应电源的LDO。下表列出了便携式设备所采用的、流行的电池化学物质的电压范围。

　　在确定 LDO 是否能够提供预期输出电压时，需要考虑其压降。输入电压必须大于预期输出电压与特定压降之和，即 VIN > VOUT + VDROPOUT。如果 VIN 降低至必需的电压以下，则我们说 LDO 出现"压降"，输出等于输入减去旁路元件 (pass element) 的 RDS(on) 乘以负载电流。

　　需要注意压降时的性能变化。驱动旁路晶体管的误差放大器完全打开或者出于"待发状态"(cocked)，因此不产生任何环路增益。这意味着线路与负载调节很差。另外，PSRR 在压降时也会显著降低。

　　选用可提供预期输出电压的 LOD 作为节省外部电阻分压器成本与空间的固定选项，外部电阻分压器一般用于设置可调器件的输出电压。利用可调 LDO 可以设置输出，以提供内部参考电压，其一般为 1.2V 左右，只需把输出连接到反馈引脚。请与厂商确认是否具备该功能。

 

Vin(min)

需要考虑输入电压是否能驱动LDO内部调整管。

• Vin(min) > 2.5V:可以考虑使用PMOS类型的LDO
• Vin(min) > 1.0V:需要使用外加偏置电路或内置电荷泵升压偏置的NMOS型LDO

Vin(max)

对于一般LDO，最大输入电压会分为如下几档：

Vout

LDO输出电压有固定的和可调式的，如下示意：

固定输出电压的LDO具有内部反馈网络，输出电压可调的LDO要使用外部反馈网络，它提供了更多的灵活性。一些输出可调的器件同时也具有内部反馈网络，因此也可作为固定输出版本使用。

Iout

需要知道最大负载电流是多大，选型需要满足要求。电流与输出输出压差决定了功耗，电流过大需要考虑散热问题。

静态电流

在一些电池供电低功耗场景下，要考虑LDO本身自身消耗的静态电流。休眠阶段的电源消耗成为影响电池寿命的关键因素。要想最大限度地降低睡眠期间的功率消耗，选择具有极低静态电流的器件就是必须的。

最小电压差

LDO需要保持一定的输入输出电压差才能保持输出电压的稳定。LDO的最小电压差被定义为跨过它的电压低至它开始不能维持其稳定输出电压时的输入输出电压差。

散耗功率

LDO最大的消耗是由 LDO输入输出压差和负载电流决定的,计算公式为:

下图显示了特定功耗值下允许的LDO电压降与电流之间的关系曲线。

负载电流要求

通考虑负载需要的电流量并据此选择 LDO。请注意：额定电流为比如 150mA 的 LDO 可能会在短时间内提供高出很多的电流。请查验最低输出电流限值规范，或者咨询有关厂商。

LDO的负载电流或输入输出电压差降增加时 ，会迅速导致功耗的增加，在选择LDO的封装时必须考虑到这一因素，确保其可以承担这一功耗。表面贴装类型的LDO所允许的最大功耗与封装类型、PCB布局和环境温度有关。通过将容许LDO最高结温和环境温度之间的差值 (T J U N C T I O N m a x T_{JUNCTIONmax}T JUNCTIONmax - T AMBIENTmaxT_{AMBIENTmax}T AMBIENTmax)除以结点到环境之间的热阻θ J A θ_{JA}θ JA可以计算出容许的最大功耗(P D m a x P_{Dmax}P Dmax)。规格书中列出了热阻θ J A θ_{JA}θ JA的值，但需要切记这个值是根据JEDEC的方法得出的，在使用时最好是稍微保守一点。下图是按照结温125℃，PCB温度60℃计算得来：

电源抑制比

在一些射频设计中，对电源纹波噪声十分敏感，这时需要考虑低噪声LDO。PSRR是电源纹波抑制比(Power Supply Ripple Rejection)的缩写。LDO的 PSRR数据是用来量化LDO对不同频率的输入电源纹波的抑制能力的，它反映了LDO不受噪声和电压波动、保持输出电压稳定的能力。在特定频段内，PSRR越大越好。

使能输入

LDO使能电平高低用于启动或关断LDO。使能输入允许外部控制LDO的关闭和启动，这是多电压轨系统中调整电源上电顺序的一个重要特性。

软启动

可编程软启动有助于减小启动时的浪涌电流和提供上电顺序。对于启动时要求浪涌电流受控的应用，有些LDO提供了可编程的软启动（SS）功能。为了实现软启动，在SS和地引脚之间需要连接一个小的陶瓷电容。

最小输入和输出电容

最小输入和输出电容应大于在各种工作条件（尤其是工作电压和温度）下的规定值。在器件选型时必须考虑应用中的各种工作条件，确保满足最小的电容规格。推荐使用X7R和X5R型电容。Y5V和Z5U电容不推荐在任何LDO电路中使用。

反向泄漏保护

在某些LDO的输出端上的电压高于输入端的电压的特殊应用中，反向泄漏保护可以有效防止电流从LDO的输出端流向输入端。如果忽视这点,这种反向泄漏会损坏输入电源，特别是当输入电源为电池的时候，尤其需要重视

关断电流

关断电流指设备禁用时LDO消耗的输入电流，对便携LDO来说通常低于1.0 µA。这个指标对于便携设备关机时长待机期间的电池寿命来说很重要。

输出电压精度

ADI公司的LDO具有很高的输出电压精度，在工厂制造时就被精确调整到±1%之内（25℃）。输出电压精度在工作温度、输入电压和负载电流范围条件下加以规定。误差规定为±x%最差情况

限流阈值

限流阈值被定义为输出电压下降到给定典型值的90%时的负载电流。例如，3V输出电压的限流阈值被定义为造成输出电压下降到3.0V的90%或2.7V时的负载电流。

工作温度范围

工作温度范围可以由环境温度和结点温度加以规定。由于LDO会发热，因此IC的工作温度总是超过环境温度，比环境温度高出多少取决于工作状态和PCB热设计。数据手册上规定有最大结点温度（TJ），因为在最大结点温度之上工作过长的时间会影响器件的可靠性——统计学上称为平均故障时间（MTTF）。

输出噪声

LDO的内部带隙电压参考是噪声源，通常用给定带宽范围内的毫伏有效值表示。例如，ADP121在VOUT为1.2V时，在10kHz至100kHz的带宽范围内有40µV rms的输出噪声。在比较数据手册指标时，给定的带宽和工作条件是重要的考虑因素。

封装与功耗

便携式应用本质存在空间限制，因此解决方案的大小至关重要。裸片可以最小化尺寸但是缺乏封装的诸多优势，如：保护、行业标准以及能够被现有装配架构轻松采用等特性。芯片级封装 (CSP) 能在提供裸片的尺寸优势的同时还可以带来封装的许多优势。

　　在无线手持终端市场需求的推动下，CSP产品正不断推陈出新。

请注意不要超过封装的最大功耗额定值。功耗可以采用PDISSIPATION= (VIN-VOUT)/(IOUT+ IQ) 进行计算。一般来说，封装尺寸越小，功耗越小。但是QFN封装可以提供极佳的散热性能，这种性能完全可与尺寸是其1.5～2倍的众多封装相媲美。

LDO拓扑与IQ

　　 为了最大化电池的运行时间，需要选择相对于负载电流来说静态电流IQ较低的LDO。例如，考虑到IQ 只增加0.02％的微不足道的电池消耗，在100mA负载情况下，一般采用200μA的IQ比较合理。

　　另外，还需要注意的是，由于电池放电特性，某些情况下压降会对电池寿命产生决定性影响。由于碱性电池放电速度较慢，其电源电压在压降情况下可以提供比NiMH电池更多的容量。必须在 IQ 和压降之间仔细权衡，以便在电池寿命期间获得最大的容量，因此，较低的IQ并不能始终保证长电池寿命。

　　需要注意IQ 在双极拓扑中的表现。IQ 不但随负载电流变化很大，而且在压降情况下会有所增加。

　　另外，需要注意在数据表中对IQ 是如何规定的。某些器件是在室温条件下规定的，或者只提供显示IQ与温度关系的典型曲线。尽管这些情况有用，但是并不能保证最大的静态电流。如果IQ 比较重要，则需要选择在所有负载、温度和工艺变量情况下都能保证IQ 的器件，并且需要选择MOS类旁路器件。

输出电容器

　　典型LDO应用需要增加外部输入和输出电容器。选择对电容器稳定性方面没有要求的LDO，可以降低尺寸与成本，另外还可以完全消除这些元件。请注意，利用较低ESR的大电容器一般可以全面提高PSRR、噪声以及瞬态性能。

陶瓷电容器通常是首选，因为它们价格低而且故障模式是断路，相比之下钽电容器比较昂贵且其故障模式是短路。请注意，输出电容器的等效串联电阻 (ESR) 会影响其稳定性，陶瓷电容器具有较低的ESR，大概为10豪欧量级，而钽电容器ESR在100豪欧量级。另外，许多钽电容器的ESR随温度变化很大，会对 LDO性能产生不利影响。如果温度变化不大，而且电容器和接地之间串联适当的电阻（一般200m），可以取代陶瓷电容器而使用钽电容器。需要咨询LDO厂商以确保正确的实施。

RF与音频应用

　　最后，考虑便携式应用中所采用的、专用电路的功率要求。

　　RF电路（包括LNA（低噪声放大器）、升压/降压转换器、混频器、PLL、VCO、IF放大器和功率放大器），需要采用具有低噪声和高PSRR的LDO。在设计现代收发系统时应非常小心，以保证低噪声和高线性。

　　电源噪声会增加VCO的相位噪声，而且会进入接收或发送放大器。在W-CDMA等流行手机技术对频谱再生和邻道功率提出严格要求的情况下，进入放大器的基/栅或收集器/漏极电源的极少量电源噪声就会产生邻道噪声或假信号。

　　为了满足手机、MP3、游戏以及多媒体PDA应用等便携式设备中的音频需求，可能需要300～500mA的LDO。而且，为了获得良好的音频质量，这种LDO在音频频率（20Hz~20kHz）时应该是低噪声并可提供高PSRR