忆阻器（一）——基本概念和实例

忆阻器字面包含两层意思：一是电阻，二是具有记忆性。它是伯克利的蔡少棠教授由电路完备性的角度预言的器件，下面我们也尝试一番。

一、电路理论完备性

已知四个基本电学量：电流$I$、电压$V$、电荷$Q$和磁通量$\phi$。从中任取两个量，就有$C_4^2=6$种组合，即六种关系：
$$\{\begin{array}{l}R=\frac{V}{I}\\ I=\frac{dQ}{dt}\\ V=\frac{d\phi }{dt}\\ L=\frac{V}{dI/dt}=\frac{d\phi }{dI}\\ C=\frac{Q}{V}\\ \frac{d\phi }{dQ}=?\end{array}$$
可以简单用下面的图表示：

如果磁通量和电荷量存在一一对应关系，那么可以定义$\phi$随Q的变化率:
$$M=\frac{d\phi }{dQ}=\frac{d\phi /dt}{dQ/dt}=\frac{V}{I}$$
即M具有电阻的量纲，但它的的值依赖于过去流经该器件的电荷总量Q，因此具有记忆功能。

二、真实器件

2008年，惠普实验室发现$Pt/Ti{O}_2/Pt$三明治叠层架构重现捏滞回线，并用简洁的边界迁移模型来解释器件的忆阻现象：电阻为$Ti{O}_2$薄膜，由高浓度掺杂的低电阻($R_{ON}$)和低浓度掺杂的高电阻($R_{OFF}$)串联而成，电荷Q的积累会改变分配的比例，如图：

数学关系描述如下：
$$\{\begin{array}{l}V=M(x)I\\ M(x)=R_{ON}x+R_{OFF}(1-x)\\ dx/dt=kI\end{array}$$
这里的x具有电荷的量纲，表示系统的状态变量。

三、数值分析

假设系统的输入电流$I(t)=I_{0}sin(\omega t)$，初始条件$x(0)=c$，可以积分得到状态变量：
$$x(t)=c+\frac{k{I}_0}{\omega }[1-cos(\omega t)]$$

进而得到输出电压：
$$v(t)=a_{1}sin(\omega t)+a_{2}sin(2\omega t)$$
其中$a_1=(R_{ON}-R_{OFF})I_0(c+\frac{k{I}_0}{\omega })$，$a_2=(R_{ON}-R_{OFF})\frac{k{I}_0^2}{2\omega }$。

选择参数$k=1\times 10^4,R_{ON}=100\Omega ,R_{OFF}=10k\Omega ,c=0,\omega =5rad/s$，利用matlab可以计算得到电压随电流变化的数值关系：(代码见附录)

与普通电阻的直线相比，忆阻器的电阻与“过去”有关，各点的阻值是该点与原点构造直线的斜率（不是切线斜率）。

再仔细比较电流$I$，状态参数$x$，电阻$M$，电压$V$随时间的变化关系如下：

着重比较电流和电阻变化图，发现电阻在$6k\Omega$与$10k\Omega$之间波动，而且当电荷累积最大的时候，电阻达到最小值；无电荷累积的时候，电阻最大。

我们还可以变化参数，得到不同的电压——电流变化图：

附录

% 1.basic parameter
clear;clc;
k0=1*10^4;
R1 = 100;R2 = 10000;
% I = 0.1,0.15,0.2mA
I = 1*10^(-4);
% w = 5, 3,10,100rad/s
w = 5;   
% c = 0 , 0.2, 0.4 
c = 0;
% 2.time
delta = 0.0001; t = [0:delta:2*pi/w];
%% 3. it,x,M,V
it = I*sin(w*t);
%it = 2*I*sin(w*t)+1.5*I*cos(2*w*t);
N = size(t);N = N(2);
intit=it;
for k=2:N
    intit(k)=it(k)+intit(k-1);
end
intit = delta *intit;
x = c+k0*intit;
M = R1 + R2*(1-x);
V = M.*it;
plot(it,V);
%% show result
subplot(2,2,1);plot(t,it);
subplot(2,2,2);plot(t,x);
subplot(2,2,3);plot(t,M);
subplot(2,2,4);plot(t,V);

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原文链接