忆阻器字面包含两层意思:一是电阻,二是具有记忆性。它是伯克利的蔡少棠教授由电路完备性的角度预言的器件,下面我们也尝试一番。
一、电路理论完备性
已知四个基本电学量:电流
I
I
I、电压
V
V
V、电荷
Q
Q
Q和磁通量
φ
\varphi
φ。从中任取两个量,就有
C
4
2
=
6
C_4^2=6
C42=6种组合,即六种关系:
{
R
=
V
I
I
=
d
Q
d
t
V
=
d
φ
d
t
L
=
V
d
I
/
d
t
=
d
φ
d
I
C
=
Q
V
d
φ
d
Q
=
?
\begin{cases} R=\frac{V}{I} \\ I=\frac{dQ}{dt}\\ V= \frac{d\varphi}{dt}\\ L= \frac{V}{dI/dt}=\frac{d\varphi}{dI}\\ C= \frac{Q}{V}\\ \frac{d\varphi}{dQ}=? \end{cases}
⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎧R=IVI=dtdQV=dtdφL=dI/dtV=dIdφC=VQdQdφ=?
可以简单用下面的图表示:
如果磁通量和电荷量存在一一对应关系,那么可以定义
φ
\varphi
φ随Q的变化率:
M
=
d
φ
d
Q
=
d
φ
/
d
t
d
Q
/
d
t
=
V
I
M=\frac{d\varphi}{dQ}=\frac{d\varphi/dt}{dQ/dt}=\frac{V}{I}
M=dQdφ=dQ/dtdφ/dt=IV
即M具有电阻的量纲,但它的的值依赖于过去流经该器件的电荷总量Q,因此具有记忆功能。
二、真实器件
2008年,惠普实验室发现
P
t
/
T
i
O
2
/
P
t
Pt/TiO_2/Pt
Pt/TiO2/Pt三明治叠层架构重现捏滞回线,并用简洁的边界迁移模型来解释器件的忆阻现象:电阻为
T
i
O
2
TiO_2
TiO2薄膜,由高浓度掺杂的低电阻(
R
O
N
R_{ON}
RON)和低浓度掺杂的高电阻(
R
O
F
F
R_{OFF}
ROFF)串联而成,电荷Q的积累会改变分配的比例,如图:
数学关系描述如下:
{
V
=
M
(
x
)
I
M
(
x
)
=
R
O
N
x
+
R
O
F
F
(
1
−
x
)
d
x
/
d
t
=
k
I
\begin{cases} V=M(x)I \\ M(x)=R_{ON}x+R_{OFF}(1-x)\\ dx/dt=kI \end{cases}
⎩⎪⎨⎪⎧V=M(x)IM(x)=RONx+ROFF(1−x)dx/dt=kI
这里的x具有电荷的量纲,表示系统的状态变量。
三、数值分析
假设系统的输入电流
I
(
t
)
=
I
0
s
i
n
(
ω
t
)
I(t)=I_0sin(\omega t)
I(t)=I0sin(ωt),初始条件
x
(
0
)
=
c
x(0)=c
x(0)=c,可以积分得到状态变量:
x
(
t
)
=
c
+
k
I
0
ω
[
1
−
c
o
s
(
ω
t
)
]
x(t)=c+\frac{kI_0}{\omega}[1-cos(\omega t)]
x(t)=c+ωkI0[1−cos(ωt)]
进而得到输出电压:
v
(
t
)
=
a
1
s
i
n
(
ω
t
)
+
a
2
s
i
n
(
2
ω
t
)
v(t)=a_1sin(\omega t)+a_2 sin(2\omega t)
v(t)=a1sin(ωt)+a2sin(2ωt)
其中
a
1
=
(
R
O
N
−
R
O
F
F
)
I
0
(
c
+
k
I
0
ω
)
a_1 = (R_{ON}-R_{OFF})I_0(c+\frac{kI_0}{\omega})
a1=(RON−ROFF)I0(c+ωkI0),
a
2
=
(
R
O
N
−
R
O
F
F
)
k
I
0
2
2
ω
a_2 = (R_{ON}-R_{OFF})\frac{kI_0^2}{2\omega}
a2=(RON−ROFF)2ωkI02。
选择参数
k
=
1
×
1
0
4
,
R
O
N
=
100
Ω
,
R
O
F
F
=
10
k
Ω
,
c
=
0
,
ω
=
5
r
a
d
/
s
k=1\times 10^4,R_{ON}=100\Omega,R_{OFF}=10k\Omega,c=0,\omega=5rad/s
k=1×104,RON=100Ω,ROFF=10kΩ,c=0,ω=5rad/s,利用matlab可以计算得到电压随电流变化的数值关系:(代码见附录)
与普通电阻的直线相比,忆阻器的电阻与“过去”有关,各点的阻值是该点与原点构造直线的斜率(不是切线斜率)。
再仔细比较电流
I
I
I,状态参数
x
x
x,电阻
M
M
M,电压
V
V
V随时间的变化关系如下:
着重比较电流和电阻变化图,发现电阻在 6 k Ω 6k\Omega 6kΩ与 10 k Ω 10k\Omega 10kΩ之间波动,而且当电荷累积最大的时候,电阻达到最小值;无电荷累积的时候,电阻最大。
我们还可以变化参数,得到不同的电压——电流变化图:
附录
% 1.basic parameter
clear;clc;
k0=1*10^4;
R1 = 100;R2 = 10000;
% I = 0.1,0.15,0.2mA
I = 1*10^(-4);
% w = 5, 3,10,100rad/s
w = 5;
% c = 0 , 0.2, 0.4
c = 0;
% 2.time
delta = 0.0001; t = [0:delta:2*pi/w];
%% 3. it,x,M,V
it = I*sin(w*t);
%it = 2*I*sin(w*t)+1.5*I*cos(2*w*t);
N = size(t);N = N(2);
intit=it;
for k=2:N
intit(k)=it(k)+intit(k-1);
end
intit = delta *intit;
x = c+k0*intit;
M = R1 + R2*(1-x);
V = M.*it;
plot(it,V);
%% show result
subplot(2,2,1);plot(t,it);
subplot(2,2,2);plot(t,x);
subplot(2,2,3);plot(t,M);
subplot(2,2,4);plot(t,V);
顺便推荐matlab在线运行的网址,只需要学生邮箱注册。