一文读懂芯片制造工艺：CMOS从基础晶圆wafer到完整电路的神奇之旅

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上一篇我写了一个IC版图布局layout的设计

好多朋友表示难以理解,我那里面也强调了,这个和制成强相关,

那么我们就单独开一篇来说一下,芯片制作过程啊

以cmos为例子

第一步,准备晶源啊 wafer ,

第二,在wafer上面形成氧化层

第三涂光阻剂

第四,用nwell 罩子罩住要蚀刻的部分

第五显影

第六蚀刻

第七去除多余的光刻胶

第八扩散法或者离子注入法形成nwell区域

第九在用强酸腐蚀掉多余的二氧化硅

第十再沉积一层很薄的sio2层,为后面的铺poly做准备也就是gate栅极

第十一步

化学沉积法铺一层多晶硅

第十二步折poly罩子, 和前面的遮nwell罩子一样 ,留下需要的,

第十三步。多晶硅蚀刻 ,留下需要的

第十四氧化

第十五创建n型扩散区(高掺杂)

第十六去除多余的二氧化硅

第十七形成高掺杂p区

第十八形成接触点contact 先把表面用二氧化硅氧化

第十九再用盖子盖住保留区域, 随后蚀刻 ,暴露出连接点

第二十步金属化表层

这样我们的cmos就做好了 ,左边就是nmos , 右边是一个pmos

文字的步骤如下

晶圆准备

选择合适的晶圆：通常采用单晶硅晶圆作为基础材料，其具有良好的晶体结构和电学性能。晶圆的质量和特性（如电阻率、晶向等）会影响最终 CMOS 器件的性能。
清洗和预处理：对晶圆进行严格的清洗，去除表面的杂质、油污和氧化物等，以确保后续工艺的质量。清洗后，还可能进行一些预处理步骤，如表面氧化形成一层薄的氧化层，以保护晶圆表面。

隔离区形成

局部氧化（LOCOS）或浅槽隔离（STI）
- LOCOS：通过热氧化工艺在晶圆表面生长一层较厚的二氧化硅层，作为器件之间的隔离区域。该工艺利用氮化硅掩膜来定义氧化区域，未被氮化硅覆盖的区域会被氧化形成隔离氧化物。
- STI：是一种更先进的隔离技术，先在晶圆表面刻蚀出浅槽，然后填充二氧化硅等绝缘材料，形成隔离结构。STI 具有更好的隔离性能和更小的尺寸，适用于先进的 CMOS 工艺。

阱区形成

N 阱和 P 阱注入
- P 型衬底上的 N 阱：对于在 P 型衬底上制造的 CMOS 工艺，需要通过离子注入和扩散工艺形成 N 阱。首先，在晶圆表面涂覆光刻胶，通过光刻工艺定义出 N 阱区域，然后进行 N 型杂质（如磷或砷）的离子注入，最后通过高温扩散使杂质均匀分布，形成 N 阱。
- N 型衬底上的 P 阱：类似地，在 N 型衬底上制造 CMOS 时，需要形成 P 阱。使用光刻工艺定义 P 阱区域，进行 P 型杂质（如硼）的离子注入和扩散。

栅极氧化和多晶硅栅极形成

栅极氧化：通过热氧化工艺在晶圆表面生长一层非常薄且均匀的二氧化硅层，作为 MOSFET 的栅极氧化物。栅极氧化物的质量对器件的性能和可靠性至关重要，其厚度通常在几纳米到几十纳米之间。
多晶硅沉积：采用化学气相沉积（CVD）等方法在栅极氧化物上沉积一层多晶硅薄膜。多晶硅将作为 MOSFET 的栅极材料。
光刻和刻蚀：在多晶硅层上涂覆光刻胶，通过光刻工艺将栅极图案转移到光刻胶上，然后使用刻蚀工艺去除未被光刻胶保护的多晶硅，形成栅极结构。

源极和漏极形成

轻掺杂漏极（LDD）注入（可选）：为了减少短沟道效应，在先进的 CMOS 工艺中通常会进行 LDD 注入。通过光刻工艺定义出源极和漏极区域，然后进行低剂量的杂质注入，形成轻掺杂的源极和漏极区域。
源极和漏极重掺杂注入：再次使用光刻工艺确定源极和漏极的最终区域，进行高剂量的杂质注入，形成重掺杂的源极和漏极。对于 NMOS，注入 N 型杂质；对于 PMOS，注入 P 型杂质。注入后，通过高温退火激活杂质并修复注入造成的晶格损伤。

金属化和互连

接触孔刻蚀：在晶圆表面生长一层绝缘层（如二氧化硅），然后通过光刻和刻蚀工艺在绝缘层上刻蚀出接触孔，使源极、漏极和栅极暴露出来，以便后续的金属连接。
金属沉积和图案化
- 第一层金属（Metal 1）：采用物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积等方法在晶圆表面沉积一层金属（如铝或铜），然后通过光刻和刻蚀工艺将金属图案化，形成第一层金属互连线路，连接各个 MOSFET 的源极、漏极和栅极。
- 层间介质和后续金属层：在第一层金属上生长一层层间介质（ILD），然后重复上述接触孔刻蚀、金属沉积和图案化的步骤，形成第二层、第三层等多层金属互连结构，实现复杂的电路连接。

钝化层形成