解析功率mos管为何会被烧毁-KIA MOS管

**MOS管在控制器电路中的工作状态：**开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。

Mos管主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。

Mos损坏主要原因：

过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；
过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿；
静电----------静电击穿，CMOS电路都怕静电；

Mos开关原理（简要）：Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻，就是导通电阻<Rds(on)>。这个内阻大小基本决定了mos芯片能承受的最大导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻），内阻越小承受电流越大（因为发热小）。
Mos问题远没这么简单，麻烦在它的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程（电容电压不能突变），所以mos源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。

然而