N沟道MOSFET–KNX42150A漏源击穿电压高达1500V,漏极电流最大值为3A,适用于变频器电源,逆变器,DC-DC转换等。
KNX42150主要特性:
漏源击穿电压高达1500V
高开关频率
低驱动电流
高压MOS管KNX42150的开启延迟典型值为30nS,关断延迟时间典型值为45nS,上升时间65nS,下降时间60nS,反向传输电容11pF,具有极快的开关速度,可靠性高。反向恢复时间410nS,正向电压的典型值1.6V。
该MOS管的导通阻抗典型值为6.5Ω。最大功耗为50W,最大结温为150℃。此产品的储存温度在-55到150℃,可适用于大部分环境。
KNX42150例AC380V变频器控制器应用框图
适用于变频器电源因可以方便的改变电动机的转速,改善拖动系统性能,被广泛运用于风扇、电梯、水泵、机床、传送带等工业电机拖动设备等;
如下图为典型的AC380V变频器控制器应用框图,主要包括输入AC380V三相整流、三相逆变IGBT功率驱动、辅助电源等部分;其中辅助电源主要经过DC高压降压后为IGBT驱动IC、主控mcu、通讯模块芯片等供电。
其中变频器常用反激式辅助电源设计,其应用框图如图2所示,因辅助电源是取AC380V整流后的高压输入,而整流滤波后电压在550V左右,故一般需要用到高压MOS设计。高压MOS管;
1500V/