KNX42150是一款1500V/3A的N沟道MOSFET，适用于变频器电源和逆变器。它具有高开关频率、低驱动电流等特点，开关速度极快，反向恢复时间短，且具备高可靠性。在AC380V变频器中，作为反激式辅助电源的关键组件，其优势在于高耐压、低导通电阻和广泛的温度适用范围。
N沟道MOSFET–KNX42150A漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为3A，适用于变频器电源，逆变器，DC-DC转换等。
KNX42150主要特性：
漏源击穿电压高达1500V
高开关频率
低驱动电流
高压MOS管KNX42150的开启延迟典型值为30nS，关断延迟时间典型值为45nS，上升时间65nS，下降时间60nS，反向传输电容11pF，具有极快的开关速度，可靠性高。反向恢复时间410nS，正向电压的典型值1.6V。
该MOS管的导通阻抗典型值为6.5Ω。最大功耗为50W，最大结温为150℃。此产品的储存温度在-55到150℃，可适用于大部分环境。
KNX42150例AC380V变频器控制器应用框图
适用于变频器电源因可以方便的改变电动机的转速，改善拖动系统性能，被广泛运用于风扇、电梯、水泵、机床、传送带等工业电机拖动设备等；
如下图为典型的AC380V变频器控制器应用框图，主要包括输入AC380V三相整流、三相逆变IGBT功率驱动、辅助电源等部分；其中辅助电源主要经过DC高压降压后为IGBT驱动IC、主控mcu、通讯模块芯片等供电。
其中变频器常用反激式辅助电源设计，其应用框图如图2所示，因辅助电源是取AC380V整流后的高压输入，而整流滤波后电压在550V左右，故一般需要用到高压MOS设计。高压MOS管；
1500V/
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