【电路设计】肖特基二极管、TVS二极管、ESD二极管详解

肖特基二极管、TVS二极管、ESD二极管详解

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一、三种二极管详解

1. 肖特基二极管（Schottky Diode）

• 原理
  金属-半导体接触形成的肖特基势垒，非传统PN结。
• 核心特点
  • 低正向压降（VF=0.2-0.5V），适合高频整流
  • 反向恢复时间极短（Trr<100ns）
  • 反向漏电流较大（IR=μA~mA级）
  • 反向击穿电压较低（VR<200V）
• 典型应用
  ✅ 开关电源整流
  ✅ 高频电路防反接
  ❌ 不适用于高压场景

2. TVS二极管（瞬态电压抑制二极管）

• 原理
  雪崩击穿或齐纳效应，快速钳位瞬态高压。
• 核心特点
  • 响应时间极快（皮秒级）
  • 钳位电压精准（VC=击穿电压的1.2-1.5倍）
  • 高浪涌承受能力（IPP=百安级）
  • 分单向/双向类型
• 典型应用
  ✅ 电源防雷击/浪涌
  ✅ 工业设备EFT抑制
  ❌ 不适用于持续过压保护

3. ESD二极管（静电放电保护二极管）

• 原理
  多层结构快速泄放电荷，低电容设计。
• 核心特点
  • 响应速度超快（亚纳秒级）
  • 超低结电容（Cj=0.1-5pF）
  • 多通道集成封装
  • ESD防护等级高（±8kV接触放电）
• 典型应用
  ✅ USB/HDMI接口防护
  ✅ 触摸屏静电保护
  ❌ 不适用于大电流场景

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二、核心区别对比表

特性	肖特基二极管	TVS二极管	ESD二极管
核心功能	高频整流/防反接	浪涌电压钳位	静电放电泄放
响应时间	10-100ns	1ps-1ns	<1ns
击穿电压范围	20V-200V	5V-600V	3V-30V
典型电容值	50-500pF	50-1000pF	0.1-5pF
失效模式	热击穿	雪崩击穿	电荷泄放

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三、数据手册关键参数解析

通用参数（所有二极管）

• VR (Reverse Voltage)
  最大反向工作电压（如：100V）
• VF (Forward Voltage)
  正向导通压降（肖特基重点关注，如0.3V@1A）
• IR (Reverse Leakage Current)
  反向漏电流（肖特基可达mA级）

TVS二极管特有参数

• VBR (Breakdown Voltage)
  击穿电压（如12V±10%）
• VC (Clamping Voltage)
  钳位电压（如19V@IPP=10A）
• IPP (Peak Pulse Current)
  可承受浪涌电流（如100A, 8/20μs波形）

ESD二极管特有参数

• ESD Rating
  防护等级（如IEC61000-4-2 Level 4）
• Cj (Junction Capacitance)
  结电容（高速接口需<1pF）
• TLP测试曲线
  展示器件实际ESD钳位性能

肖特基二极管特有参数

• Trr (Reverse Recovery Time)
  反向恢复时间（如5ns）
• IF (Forward Current)
  最大连续电流（如5A）

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四、选型建议

• 电源整流/防反接：选用肖特基二极管，关注其低正向电压（VF）和低反向电流（IF）。

• 雷击/浪涌保护：选用TVS二极管，根据应用选择合适的击穿电压（VBR）和最大脉冲峰值电流（IPP）。

• 高速接口ESD防护：选用低电容ESD二极管，如结电容（Cj）<1pF的二极管。