为什么MOSFET夹断了还有电流

最新推荐文章于 2023-04-07 15:18:03 发布
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关于场效应管的参数大全
07-13
直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。 开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。 交流参数 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 极限参数 ①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值， ②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制， ③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压， ④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。 使用时主要关注的参数有： 1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。 2、UP—夹断电压。
MOS管的漏电流
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weixin_43205692的博客
06-10 3万+
通常在理想状况下，如果mos管关断时是不流过电流的。但要注意到漏/源与衬底之间是两个pn结。即使mos管没有沟道，漏源之间还是有反向的饱和电流，这就是所谓的漏电流。当然，由于漏电流的存在，整个电路的静态功耗会有所增加 channel leakage , gate leakage 泄漏电流主要是亚阈值电流，pn结反向饱和电流和栅极泄露电流组成，而亚阈值电流和pn结反向饱和电流占主要，温度升高，阈值电压降低，亚阈值电流增大，同时pn结反向饱和电流与温度成指数正比关系，那么温度升高，方向饱和电流加大。温度升高，
硬件基础：MOS管工作区间及开通过程分析——以N沟道增强型MOS为例
Amazing blog
04-07 1412
t3~t4：t3时刻后，由于VGD>Vth，MOS管进入可变电阻区，在密勒平台的持续时间里，VDS的压降会降至基本等于饱和导通压降（否则栅极电流应该还是大部分会给Cgd充电，Cgs电压不会抬高），此时VGS不变，VDS下降，MOS管工作在可变电阻区，那么按照MOS管的工作特性曲线，ID应略有下降。恒流区 （饱和区）：当VDS>VGS-Vth(即VGD<Vth)时，MOS管进入恒流区，在此工作区内，VDS增大时，ID仅略微增大，因此可将ID看作是受VGS控制的电流源，当MOS管做放大管使用时，工作在此区域。
与万用表结合使用的FET VP、VOO检验器
07-16
电路的功能 场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，用转换开关选择电阻R1~3，设定工作电流，R值可用R=15/ID计算。 电路工作原理 在OP放大器反相放大电路中，使流过反馈回路的电流与输入电阻确定的电流相等，因此FET漏极电流EB由栅极电压VGS确定。即OP放大器A1构成伺服电路，用A1的输出控制反相输入端的电位，使基等于零。 齐纳二极管D3和D4产生±9V的电压对被测对象（DUT）的栅极电压进行拖箝位使电路不至加异常电压。R5是限流电阻，用来控制栅极电流，使基不至过大（通常几乎无电流流过）。 FET有N沟道和P沟道两种型式，因此可用SW1切换输入电压的极性，满足这两种型号的需要。测试开关SW2在无DUT时，栅极端子电压高于夹断电压，OP放大器的输出对于NOA来说为负，对于POH为正，在进行正常测试时，OP放大器输出为VGS。工作电流ID为1UA时，R1=15/10的-6次方=15M，
电子功用-在半导体器件的夹断的有源区中改善二硅化钛的电阻
09-15
行业资料-电子功用-在半导体器件的夹断的有源区中改善二硅化钛的电阻
mos管的预夹断
01-21 8063
为什么N沟道mos管预夹断是在D极那边
场效应管放大电路
lushoumin的博客
09-27 1537
金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 N沟道增强型MOSFET 栅源加电压，在电场作用下产生沟道。产生沟道的门限开启电压VT。 漏源加电压，产生电压梯度，导致沟道夹断。预夹断的临界条件 输出特性 特性方程 可变电阻区 饱和区 N沟道耗尽型MOSFET ...
MOS管损坏之谜，看完后疑惑终于解开了
weixin_54696253的博客
04-29 2373
MOS管损坏之谜，看完后疑惑终于解开了！ MOS开关原理（简要）： MOS是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为MOS内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS芯片能承受的最大导通电流（当然和其它因素有关，最有关的是热阻），内阻越小承受电流越大（因为发热小）。 MOS管在控制器电路中的工作状态： 开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。 MOS管烧坏的原因主要损
.场效应管在漏端预夹断后，为什么还有漏电ID
没有时间把一件事情做好，却有时间把一件事情反复做
09-09 6829
当两个耗尽区有交点时，就出现预夹断 当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源湍最厚，漏端最薄，逐渐升高。在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源端最厚，漏端最薄，当VDS增大到栅一漏电位差VGS= VLS= VGS(rh)时，漏端预夹
同样是耗尽层封锁导电通道，为什么夹断电压下有电流而截止状态下没有电流
manhuami2007的博客
03-10 1164
很困扰，JFET在截止电压和夹断电压下，都是耗尽层封锁了导电通道，为什么在截止电压下没有电流ID，而夹断电压下却有，这两个有什么区别呢？ 首先要强调的是：耗尽层并不是绝缘的，而是电阻比较大，因为在耗尽层中还是有很少的一部分的载流子的。 而截至状态和夹断状态的区别就在于：耗尽层的大小。 首先看截止状态下，耗尽层自上而下都封闭了导电通道。耗尽层很大，对应的电阻很大，所以没有电流或者只有很小的电流流...
元器件应用中的场效应管的主要特性参数
11-23
一、直流参数　　1.夹断电压UP　　在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。　　2.开启电压UT　　在UDS为某一固定值的条件下，使S极与D极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。　　3.饱和电流IDSS　　在UDS-O的条件下，漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流，它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。　　4.直流输入电阻RGS                   　　在场效应管输入端(即栅源之间)所加的电压UGS与流过的栅极电流之比，
元器件应用中的结型场效应管（JFET）的主要参数
11-07
（1）. 夹断电压VP 　　当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 　　（2）. 饱和漏极电流IDSS 　　在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的最大电流。 　　（3）. 直流输入电阻RGS 　　它是在漏-源极间短路的条件下，栅-源极间加一定电压时，栅-源极间的直流电阻。 　　（4）. 低频跨导gm 　　当vDS为常数时，漏极电流的微小变化量与栅-源电压vGS的微小变化量之比为跨导，即 　　gm反映了栅-源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应管放
高频mosfet电流管开关电流波形问题分析
psr15157725898的博客
06-16 903
这里就用MOSFET代替BJT了，所以ids = ic，Vds=Vce，Coss也就是Cds代表输出电容。简单来说就是当MOS管一开始导通时输出电容Coss还保持Vds电压，随着Ids电流越来越大，Vds电压终于保持不住，开始下降。直到管子完全开启。比较详细的开启过程是由Miller Plateau造成的，这里借用了网上一些解释Miller Plateau的图，如果有不清楚的就请见谅了。 阶段1，Vgs 《 Vth，管子是关断的，所以Ids = 0，Vds=high，ig充电Cgs。 阶段2
MOS管
zhouxianjin123的博客
12-16 6393
MOS管是由G极的电压相对于S极的电压大小，控制DS极间的沟道的宽度，来控制所能流过的电流的大小，从而形成控制的作用，存在一个开启电压Vt，大约为2V左右，一般需要4.5V以上使管子完全导通。 NMOS PMOS ...
三极管和MOS管工作原理详解
whitefish520的博客
05-26 1万+
PN结的形成 PN结是三极管以及场效应管中最基本的组成部分，要想彻底搞明白三极管以及场效应管的工作原理，必须先搞清楚PN结形成的原理和工作特性。 本征半导体以及空穴对 本征半导体（intrinsic semiconductor)）完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。主要常见代表有硅、锗这两种元素的单晶体结构。硅、锗都是4价原子，在半导体内部形成相对稳定的共价键结构，如图 ...
简谈BOOST升压电路
weixin_43772512的博客
11-01 1万+
BOOST电路，一个作为硬件工程师熟悉的不能再熟悉的硬件电路。其在很多硬件领域都会运用到。 就拿小白所在的手机/平板领域，其也用到了很多和BOOST相关的模块化设计。例如屏幕的背光模块，音频功放的SMART PA模块以及闪光灯驱动模块等等。虽用到了不同的IC，但其终究到底还是BOOST电路的延伸化设计。只要你能熟悉BOOST相关的知识，就能轻松了解其中的这些模块设计的原理。即使在遇到陌生的升压模块电路的相关IC，你也能熟练的搭建其外围电路。 说了那么多，接下来开始进入我们的主题-BOOST电路。 首先，先上
四个单相全桥级联调试过程中的母线电压规律毛刺原因分析
blueoce的博客
01-08 947
简化描述，以单相全桥逆变为例。 前提：所有桥臂上下管互补带死区。 桥臂开通至上管开，下管关用1表示 桥臂关断至上管关，下管开用0表示 下图黄色是左桥臂上管的驱动波形，高电平打开IGBT 绿色是右桥臂上管的驱动波形，高电平打开IGBT 蓝色U_AB,是AB两点的电压。 从驱动波形可知，左右桥臂同时开通和同时关断，即A、B两点原理上要么接在母线电压正极要么接在母线电压负极，U_AB应该始终是...
MOS管栅极驱动电流计算
qq_37445354的博客
06-23 2万+
我们知道MOS管是电压控制的，从理论上MOS管电流为零。但是半导体不是理想器件，不可避免的会存在一些寄生参数。阅读LT芯片手册可以知道，栅极驱动电流公式如下图。 Fsw为开关频率，Qg为mos管栅极充满所需电荷 。 MOS管以BSC109N10NS3为例 ，查看该mos管芯片手册，可以知道 Qg为50nC左右。通过上面公式计算Igate = 25mA。 但是问题来了，如下图 INTVcc的电流驱动能力为23mA，也就是说开关频率大概超过500K后，就无法正常驱动这个MOS管了，但...
springboot(酒店管理系统)
最新发布
04-25
开发语言：Java JDK版本：JDK1.8（或11） 服务器：tomcat 数据库：mysql 5.6/5.7（或8.0） 数据库工具：Navicat 开发软件：idea 依赖管理包：Maven 代码+数据库保证完整可用，可提供远程调试并指导运行服务（额外付费）～ 如果对系统的中的某些部分感到不合适可提供修改服务，比如题目、界面、功能等等... 声明： 1.项目已经调试过，完美运行 2.需要远程帮忙部署项目，需要额外付费 3.本项目有演示视频，如果需要观看，请联系我 4.调试过程中可帮忙安装IDEA，eclipse，MySQL，JDK，Tomcat等软件 重点： 需要其他Java源码联系我，更多源码任你选，你想要的源码我都有！ 需要加v19306446185
svpwm控制igbt模型
08-10
SVPWM（Space Vector Pulse Width Modulation）是一种常用的电力电子调制技术，广泛应用于可逆变器和电机驱动系统中。在IGBT模型中，SVPWM用于控制IGBT开关的开合时刻，实现对电机输出的调节。 SVPWM技术基于三相电压的空间矢量表示，将三相电压分解为直流分量和交流分量，通过调节交流分量的幅值和相位来控制电机的速度和转矩输出。工作原理如下： 首先，根据控制要求（如电机转速、转矩等），确定所需的电机输出电压矢量。 然后，根据电压矢量的大小和方向，将它转化为两个正弦波的时间比例，也就是确定每个相的占空比。这一步可以通过计算和查表等方式完成。 接下来，基于每个相的占空比，确定IGBT开关的开合时刻。具体来说，将每个相的占空比分解为六个时段，每个时段对应一个开关状态（如开、关或夹断）。通过控制这些开关状态，可以生成符合要求的电机输出电压。 最后，将开关状态转化为实际的控制信号，通过适当的电路驱动IGBT模块，实现对电机输出的控制。 通过SVPWM技术控制IGBT模型的优点是：可以实现高精度的电机控制，提高电机运行效率和响应速度；能够减小电机产生的谐波内容，降低系统噪声和电磁干扰；同时，SVPWM技术具有简单、灵活、可靠等特点，适用于各种电力电子调制系统。 总之，SVPWM技术在IGBT模型控制中发挥着重要的作用，通过对IGBT开关的合理控制，实现对电机输出的精确调节，从而满足各种电机驱动系统的需求。

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