mos管的预夹断

之前在给一个朋友讲mos管的预夹断的时候，忽然发现自己原来的理解和教材上讲的有出入，经过查资料和思考，总算弄清楚了自己的理解误区。

先放两张图，一张是mos管的结构图，一张是预夹断时候的mos管图。

原先的错误理解

原先认为由于D区电压高，S区电压低，那么D极对电子的吸引力更强，更容易形成N沟道，而S区对电子的吸引力较弱，更不容易形成N沟道，所以夹断的话应该是S极那边夹断，显然和教材中描述的不一致。
导致这种错误理解的原因是想当然没有仔细思考，对N沟道形成的原因不清晰。

改正后的理解

1.首先要明白，N沟道形成的原因是由于G极与衬底存在电势差，导致衬底的部分电子被吸引到上面的二氧化硅绝缘层下面，进而形成N沟道。

2.其次，非常重要也是我之前理解错误的是，由于G极是导体，平衡后其横向并无电势差，而衬底是P型半导体，平衡后可以有电势差。

3.因此，D极电势高并不会改变其附近的G极电压，而会使D极附近的衬底电压升高，从而使G极与衬底的电压差降低，D极附近衬底的电压近似等于D极电压，所以当$V_G-V_D=V_{TH}$即D极附近G极与衬底的电压差等于开启电压时，就会出现预夹断。而S区附近G极与衬底的电势差为$V_{GS}$是始终大于$V_{TH}$的，自然不会产生夹断。

总结需要注意的几点

1.首先要注意$V_G$的电压是最高的，$V_{GS}>V_{DS}$。
2.其次，衬底中是有电势变化的，D极附近电势高，S极附近电势低。
3.再次，沟道的形成是G极与衬底的电压差决定的，G极的电势是恒定的。