场效应管放大电路

金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管

N沟道增强型MOSFET

栅源加电压，在电场作用下产生沟道。产生沟道的门限开启电压VT。

漏源加电压，产生电压梯度，导致沟道夹断。预夹断的临界条件

输出特性

特性方程

可变电阻区        

                    

饱和区

matlab模型：

 

N沟道耗尽型MOSFET

栅源加负电压，在电场作用下沟道减小。耗尽沟道的夹断电压VP。

输出特性

 

P沟道MOSFET

 

沟道长度调制效应

理想情况下，MOSFET工作在饱和区时，漏极电流与漏源电压无关。而实际上，漏源电压对沟道长度L的调制作用，漏源电压增加时，漏极电流会有所增加。因此，输出特性公式需要进行修正

典型器件，λ的值近似表示为，单位μm

 

MOSFET放大电路

直流偏置及静态工作点的计算

        

图解分析

   

小信号模型分析

第一项

第二项

第三项，平方会使信号失真，因此需要满足。达到会略第三项的目的。

最终，模型等效为

 

MOSFET三种基本放大电路的比较