MOS管的漏电流

通常在理想状况下，如果mos管关断时是不流过电流的。但要注意到漏/源与衬底之间是两个pn结。即使mos管没有沟道，漏源之间还是有反向的饱和电流，这就是所谓的漏电流。当然，由于漏电流的存在，整个电路的静态功耗会有所增加

channel leakage , gate leakage

泄漏电流主要是亚阈值电流，pn结反向饱和电流和栅极泄露电流组成，而亚阈值电流和pn结反向饱和电流占主要，温度升高，阈值电压降低，亚阈值电流增大，同时pn结反向饱和电流与温度成指数正比关系，那么温度升高，方向饱和电流加大。温度升高，热载流子效应加强，栅极泄露电流加大。总而言之，泄露电流随温度升高而升高，具体公式的话找本半导体物理器件的书看看