硬件电路分析

硬件电路分析

电容两端电压不能突变；电感两端电流不能突变。

二极管

左正极，右负极。

三极管

NPN三极管和PNP三极管

• 发射极e
• 基极b
• 集电极c
  
  

NPN三极管电平反向电路

图腾柱

图腾柱型驱动电路的作用在于：提升电流驱动能力，迅速完成对于门极电荷的充电或者放电的过程。
图腾柱由NPN和PNP管子构成。
电路工作的逻辑过程是，高电平输入，上管导通下管截止，输出高电平；低电平输入，下管导通上管截止，输出低电平；当电路逻辑的上下两管均截止时，则输出为高阻态。

自举电容和自举二极管

自举电容是为了创造一个高电平（电容电压+MOS管控制电压），满足MOS管导通条件。
自举二极管是为了防止自举电容，电流倒灌到电源侧。

场效应管

场效应管是利用电场效应来控制晶体管的电流，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。

3个极性

• 源极S
• 栅极G
• 漏极D
  反向二极管正极接漏极D，负极接源极S。

工作区域：可变电阻区，恒流区，夹断区。

分类

结型场效应管：N沟道 P沟道
绝缘栅型场效应管：N沟道：增强型 耗尽型 P沟道：增强型 耗尽型

工作原理

为保证N沟道结型场效应管能正常工作，要在栅源之间加负向电压，以保证反向电压要被耗尽层承受，以形成漏极电流；栅源之间负向电压越大，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，导电沟道越窄，沟道电阻变大，漏极电流iD越小；相反，若栅源之间负向电压越小，耗尽区就越薄，导电沟道越宽，沟道电阻变小，漏极电流iD越大。
栅源极之间负向电压越大，电流越小；栅源极之间负向电压越小，电流越大。