TRL校准(去嵌De-embedding)

TRL校准(去嵌De-embedding)

系统框图：

S参数转换T参数：

T参数转换S参数：

于是经过上面的公式换算可以得出：

上述 4 个方程中，若想求解出 S11D、 S12D、 S21D、 S22D 这 4 项表征 DUT 的 S 参数，需知晓S11A、 S22B、 S22A、 S11B、 S21A S21B、 S12A S21B、 S21A S12B、 S12A S21B 这 8 个误差项。 TRL 算法中，通过构造直通、反射、 延时线这三个校准件来计算上述 8 项误差。

Thru 直通

当夹具 A 和夹具 B 直接连通，形成直通结构时，S11D=S22D=0，S21D=S12D=1
此时该网络如的散射参数为：

Reflect 反射

当测试结构中的夹具 A 和夹具 B 端接开路或者短路负载时，令端口的回波损耗为 ГR，两端口之间无直接传输的信号， S11D=S22D=ГR， S12D=S21D=0

此时该网络的散射参数为:

Line 延时线

当两个测试端口之间接入电长度为 l 的传输线结构时， S11D=S22D=0，S21D=S12D=e^(-γl)

此时其散射参数为:

由以上10个方程组求解：
将以上的结果带入

即可得到DUT的S参数。

参考文献：
[1] 汤国平. 0.1GHz-110GHz在片去嵌技术研究[D]. 陕西:西安电子科技大学,2014. DOI:10.7666/d.D727491.
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[3] 王硕. 大功率半导体器件宽阻抗范围高精度的测试方法研究[D]. 陕西:西安电子科技大学,2019. DOI:10.7666/d.D01907988.
[4] 赖雨瑞. 微波射频探针的去嵌入研究及测试应用[D]. 四川:电子科技大学,2019.