能带的弯曲

功函数与费米能级的关系

• 功函数（$\Phi$）是指从材料内部将一个电子移动到材料表面并使其成为自由电子所需要的最小能量。费米能级（$E_F$）是在绝对零度时电子占据的最高能级。对于两种不同的材料1和2，若功函数${\Phi }_1>{\Phi }_2$，则材料1的费米能级$E_{F1}$低于材料2的费米能级$E_{F2}$；反之，若${\Phi }_1<{\Phi }_2$，则$E_{F1}>E_{F2}$。
  

判断能带是向上弯曲还是向下弯曲主要依据以下几个方面：

材料的功函数

• 功函数是指电子从材料内部逸出到真空中所需要的最小能量。对于两种不同功函数的材料组成的系统，功函数较小的材料，其内部电子的能量相对较高，更“容易”跑出来。当它们接触时，为了达到热平衡，电子会从功函数小的材料向功函数大的材料转移。在这个过程中，功函数小的材料由于失去电子，其能带会向上弯曲；而功函数大的材料得到电子，能带就会向下弯曲。

材料的掺杂类型和浓度

• n型掺杂：如果是n型半导体，即掺杂了五价杂质原子（如磷）等，会增加半导体中的电子浓度。这些额外的电子会使导带中的电子占据几率增加，为了保持系统的能量平衡，能带会向下弯曲，使得导带底的能量相对降低，更有利于电子的存在和移动。而且，掺杂浓度越高，这种能带弯曲的程度通常就越大。
• p型掺杂：对于p型半导体，是掺杂了三价杂质原子（如硼）等，会产生更多的空穴。空穴的存在使得价带顶的空穴占据几率增加，能带会向上弯曲，抬高价带顶的能量，以便于空穴的传输。同样，掺杂浓度越高，能带向上弯曲的程度也会越大。

外部电场的作用

• 当给材料施加外部电场时，电场会对材料中的电子产生作用力。如果施加的是正向电场，即电场方向使得电子有向某个方向移动的趋势，那么在这个方向上，能带会向下弯曲。因为电场力帮助电子更容易地向这个方向移动，降低了电子在这个方向上的能量势垒，表现为能带向下弯曲。
• 相反，如果施加的是反向电场，会阻碍电子的移动，使得电子在该方向上的能量势垒增加，能带就会向上弯曲。

界面两侧材料的性质差异

• 在异质结等具有不同材料界面的结构中，界面两侧材料的晶体结构、电子亲和能等性质差异也会导致能带弯曲。如果一侧材料的电子亲和能大，另一侧小，电子会倾向于从电子亲和能小的一侧向大的一侧转移，从而使得电子亲和能小的一侧能带向上弯曲，大的一侧能带向下弯曲。