元器件学习之-------MOS管

针不戳20220926

于 2024-11-13 11:02:41 发布

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分类专栏：电子元器件介绍-看完即入门文章标签：学习嵌入式硬件硬件工程 stm32 单片机

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一、技术理论

1、MOSFET 的基本工作原理

MOSFET 是一种电压控制型器件，通过在栅极施加电压来控制源极和漏极之间的电流。

它主要由栅极（G）、源极（S）和漏极（D）组成。

当在栅极和源极之间施加一个正向电压时，会在栅极下方的半导体表面形成一个导电沟道，使得源极和漏极之间导通。

MOSFET 分为 N 沟道和 P 沟道两种类型，其工作原理略有不同。

2、MOS符号

MOS管分为NMOS和PMOS，其组成都是三个引脚，以及一个二极管组成，这个二极管在D和S之间，被称为体二极管，是MOS的生产工艺所产生的，不可避免，其性能和普通二极管一致，同样有正向导通，反向截至作用。

3、怎么辨别引脚极性，以及区别NMOS/PMOS

4、NMOS工作原理简易理解模型

官方说法：通过在栅极G施加电压来控制源极S和漏极D之间的电流。

解释：MOS管有一个参数，叫做VGS（th）：G与S之间的阈值电压。

NMOS是当G与S之间的电压VGS大于MOS管开启阈值电压VGS（th）时，即D和S之间便会导通。

PMOS是当G与S之间的电压VGS小于MOS管开启阈值电压VGS（th）时，即D和S之间便会导通。

示例：

首先讲下MOS管的参数，该MOS管参数：

VGS（max）电压为20V（即G与S之间的安全电压，超过该值，MOS会损坏）

VGS（th）电压为5V（即G处电压高于S处电压5V时，D与S之间导通）。

现在讲下运行过程：

当左侧没有信号接入时：5V电源经过电机到达MOS的D极，而D与S之间存在体二极管（NMOS的体二极管由D至S是反向截至），所以，电机上无电流完整回路，即电机不能工作。

当左侧有10V电压信号传递时，G处电压经过电阻分压达到9V，而S极电压始终在0V，从而此时VGS之间电压已经为9-0=9V，此时9V已经大于VGS（th）的5V导通电压，所以D与S之间便会导通，此时，5V经过电机，再流过MOS的DS之间，到达地，形成完整回路，电机工作。

当左侧信号为0V时，G处电压为0V，S处电压为0V，此时VGS电压为0V，VGS<VGS（th），所以D和S之间无法通道，即MOS管不导通，电机无法工作。

5、MOSFET 的选型参数

漏源极电压（VDS）：这是 MOSFET 能够承受的最大漏极D和源极S之间的电压。在选型时，必须确保 VDS 大于实际应用中的最大工作电压，以防止器件被击穿。例如，在一个 12V 电源系统中，如果考虑一定的电压波动，可能需要选择 VDS 为 20V 或更高的 MOSFET。

栅源极电压（VGS）：这是 MOSFET 能够承受的最大栅极G和源极S之间的电压，若施加在栅极和源极之间的最大电压超过该值，MOS会被击穿，一般来说，范围都在±20V以内。

栅源极电压（VGS（th））：这是施加在栅极和源极之间的电压，用于控制 MOSFET 的导通。不同类型的 MOSFET 具有不同的 VGS 范围。

连续漏极电流（ID）：这是 MOSFET 在连续工作状态下能够承受的最大漏极电流。在选型时，需要根据实际应用中的负载电流来确定 ID 的大小。如果负载电流较大，可能需要选择 ID 较大的 MOSFET，或者采用多个 MOSFET 并联的方式来满足电流要求。

脉冲漏极电流（IDM）：这是 MOSFET 在短时间内能够承受的最大脉冲电流。在一些应用中，如电机驱动等，可能会出现瞬间的大电流脉冲，此时需要考虑 IDM 的大小，以确保 MOSFET 不会被损坏。

导通内阻（RDS）：在导通状态下，漏极（D）和源极（S）之间的等效电阻。一般该值都是毫欧级别的，该值越小，代表MOS管性能越优越，它是衡量 MOSFET 性能的一个重要参数。

功耗（P）：MOSFET 在工作过程中会消耗一定的功率，这主要由漏极电流和漏源极电压决定。功耗过大会导致器件发热严重，甚至损坏。因此，在选型时需要根据实际应用中的功率要求来选择合适的 MOSFET，并考虑散热措施。

开通时间（ton）和关断时间（toff）：这两个参数分别表示 MOSFET 从关断状态到导通状态和从导通状态到关断状态所需的时间。在开关电源等高速开关应用中，需要选择开通时间和关断时间较短的 MOSFET，以提高系统的效率和响应速度。

上升时间（tr）和下降时间（tf）：这两个参数分别表示 MOSFET 漏极电流从 10% 上升到 90% 和从 90% 下降到 10% 所需的时间。同样，在高速开关应用中，需要选择上升时间和下降时间较短的 MOSFET。

6、MOSFET 的实例

该型号为：NCEP039N10D，在数据手册中，极限参数如下：

在数据手册中，一般会有两个表格，这第一个Absolute Maximum Ratings(绝对最大额定值)记录了该器件的一些极限参数，超过该值，会损坏器件。

如上：可得

型号	VDS	VGS	ID	ID（100℃）	IDM	PD
NCEP039N10D	100V	±20V	135A	108A	540A	220W

口头解释下：

DS之间最大电压不能超过100V

GS之间压差不能超过20V（G极不能超过S极20V，同样S极也不能超过S极20V）

流过DS之间的电流如果需要持续流动的话不能超过135A

如果温度过高，能持续流过DS之间的电流会下降，在100℃下，能持续流过的电流为108A

瞬间流过DS之间的电流最大为540A

在DS之上的功率不能超过220W

以上大多数是一些安全参数，还有几个参数，我们要特别关注：

在这里，我们对表格做出补充：

型号	VDS	VGS	ID	IDM	PD	VGS（th）	RDS（on）
NCEP039N10D	100V	±20V	135A	540A	220W	2~4V	3.5~3.9mΩ

口头解释：该型号MOS：

当G处电压高于S处电压4V时，MOS的D和S之间肯定是导通的。

当DS之间导通时，DS之间的电阻为3~4mΩ

在这里，要说明一下，DS之间导通时，既然DS之间有电阻，那么此时DS之间就会有电压，假若流过电流是1A，那么DS上此时电压为1A*3.5mΩ=0.0035V。

得到DS上的电压，也就可以算出MOS有电流流过时的导通损耗P=IIR=UI=0.0035V*1A=0.0035W。

上述说了MOS导通时的损耗，还有一种损耗是MOS经常考虑的损耗，就是开关损耗，由于米勒平台的原因，MOS管在开启的一瞬间，以及关闭的一瞬间，都会消耗功率。如果MOS管一直处于导通状态，那么导通损耗是MOS管最主要的损耗来源，但对于高频开关电路中，需要MOS一直处于开关开关切换的状态（1s内可切换几十万次），这时，开关损耗便成了MOS损耗的主力军。