硬件元器件【三极管】

卯木丶

已于 2023-10-18 16:53:53 修改

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文章标签：嵌入式硬件硬件工程

于 2023-10-17 17:10:17 首次发布

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硬件元器件-三极管

三极管基础(BJT)

三极管原理

三极管（也被称为双极结型晶体管）是一种半导体电子器件，常用于放大和开关电路。以NPN型三极管为例，基极为P型半导体，发射极和集电极是N型半导体。
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图1 NPN三极管

在这里插入图片描述

图2 PNP三极管

三极管工作状态如下表所示：

发射结	集电结	三极管状态
正偏	正偏	饱和区
正偏	反偏	放大区
反偏	反偏	截止区
反偏	正偏	倒置状态

当三极管工作于放大区时，集电结处于反偏状态，此时集电极电流 $I_C$ 主要受到基极电流 $I_B$ 的控制，并且它们之间存在一个固定的放大倍数 $\beta$ 。 (为什么)
对于一个PN结来说，当它反偏截止时，仍存在一个很小的反向漏电流 (参考二极管篇) 。当集电结反偏时，少数载流子在外部电源的作用下能够很容易地反向穿过PN结形成漏电流。漏电流之所以很小，是因为少数载流子的数量太少 (此时，漏电流的大小主要取决于少数载流子的浓度) 。那么，增加反偏时少数载流子的浓度 (在P极增加电子，即发射集对基极注入电子) 就可以增大漏电流。
为什么说反偏时少数载流子很容易反向通过PN结呢？是因为PN结内部还存在内电场，内电场的作用方向与少数载流子通过PN结的方向一致。

三极管电气特性

输入特性曲线， $V_{CE}$ 一定时，基极电流 $I_B$ 与发射结压降 $V_{BE}$ 之间的函数关系，与二极管伏安特性曲线第一象限相似。

输出特性曲线，基极电流 $I_B$ 一定时，集电极电流 $I_C$ 与管压降 $V_{CE}$ 之间的关系。
下图为常用NPN三极管S9013的输出特性曲线：

在这里插入图片描述

图3 NPN三极管S9013的特性曲线

三极管选型

常用型号如下：

型号	类型	参数
S9013	NPN	0.5A,25V
S9012	PNP	0.5A,25V
S8050	NPN	0.5A,25V
S8550	PNP	0.5A,25V
SS8050	NPN	1A,25V
SS8550	PNP	1A,25V

选型原则

参数。关注主要参数，考虑温度、电压、电流等因素增加一定的安全裕度。
封装。封装质量优劣的是用芯片面积与封装面积的比值来判断的，比值越接近1越好。优先选择主流小型化表贴器件：SOT23、SOT323、SOT523、SOT89、SOT663
性能。选择低压降 $V_{CE(sat)}$ 的、低阻抗、高开关效率的器件。
射频三极管优选低电压供电，低噪声，高频及高效器件

关注参数

三极管在电路中有放大和开关两种作用，常见电路中主要应用三极管做开关，打开时工作在饱和状态，关闭时工作在截止状态。

集电-发射极最大电压( $V_{CEO}$ )
三极管允许承受的最大集电-发射极电压。

集电-基极最大电压( $V_{CBO}$ )
三极管允许的最大集电-基极电压。通常， $V_{CBO}$ 要比 $V_{CEO}$ 大，但也应小于电路中的最大电压。

发射-基极最大电压( $V_{EBO}$ )

集电极连续电流( $I_C$ )

集电极-发射极饱和电压( $V_{CE(sat)}$ )
作开关应用时，关乎三极管的损耗。与实际使用中集电极通过电流相乘，即为三极管实际功耗，需要关注 $V_{CE(sat)} - I_C$ 曲线。

最大功耗( $P_d$ )
三极管用于大功率应用场合时需要考虑最大功耗 $P_d$ 、芯片内核到芯片外部环境的热阻 $\theta_{JA}$ ，通过公式 $T_J = T_A+P_d \times \theta_{JA}$ 计算芯片温度。
比如封装为SOT23的S8050，最大结温为150 $^\circ C$ ，热阻 $\theta_{JA}$ 为417 $^\circ C/W$ 。那么当它在30 $^\circ C$ 环境下，以最大电流运行时，结温为155.1 $^\circ C$ ，超过了允许的最大结温。