气体放电管(GDT)
气体放电管采用陶瓷密闭封装,内部充满了电气性能稳定的惰性气体(氩气、氖气)。当在放电管的极间施加足够大的电压,超过惰性气体的绝缘强度时,两极会产生电弧,电离气体,这时放电管便由绝缘状态转变为导电状态。也就是说,无浪涌到来时,气体放电管处于开路状态,浪涌到来时,由高阻变为低阻,浪涌消失时,放电管恢复到原来的状态。
气体放电管是一种开关型的防雷保护器件,一般用于防雷保护的第一级或第二级保护。由于放电管的极间绝缘电阻大,寄生电容小,所以适合用于对高频电路的保护。
优点:
- 电流通容量大
- 寄生电容小,适合高频电路的保护
缺点:
- 放电时延性比较大,响应速度较慢(80ns左右)
- 存在续流。过电压事件结束,气体放电管仍然会保持导通状态,直到电流降到续流电流以下
8/20μs脉冲波形表示以下特性:
- 8μs:这表示脉冲的上升时间(从0到峰值电压)为8微秒。在这段时间内,电压从零逐渐上升到其最大值。
- 20μs:这表示脉冲的持续时间(从0到峰值电压,然后再降至零)为20微秒。
- 8/20μs脉冲波形通常用于模拟雷击或电压浪涌等瞬态过电压事件。
主要参数
直流击穿电压(DC Spark-over Voltage)
部分手册也写成DC Breakdown Voltage,指的是在上升速率100V/s的电压作用下,放电管开始放电的平均电压,手册还会提供一个该电压的变化范围(例如20%),由此还会有一个直流击穿电压最大值和最小值。
冲击击穿电压(Impulse Spark-over Voltage)
在具有规定上升速率的暂态电压脉冲(比如100V/us或者1kV/us)作用下,放电管开始放电的电压值。放电管的响应时间(动作时延)与电压脉冲的上升速率有关,对于不同上升速率的电压,放电管的冲击放电电压是不同的。
标称冲击放电电流(Nominal Impulse Discharge Crurrent)
在规定电压脉冲波形(8/20us)下,放电管击穿后,管子的电气特性不变(直流放电电压及绝缘电阻无明显变化)的电流值。
绝缘电阻(Insulation Resistance)
在规定直流电压下测试得到的两极间的电阻值。一般在
G
Ω
G\Omega
GΩ 级别。
结电容(Capacitance)
在1MHz的电压波形测试条件下,放电管两极间的电容值,一般为1pF左右。
耐冲击寿命(Impulse Life)
在指定电压脉冲波形和指定电流(8/20us,200A或者10/1000us,100A)情况下,放电管耐冲击的次数。
弧光电压(ARC Voltage)
保持气体放电管的惰性气体产生弧光的电压值。
辉光电压(Glow Voltage)
保持气体放电管的惰性气体产生辉光的电压值。
器件选型
- 放电管的直流击穿电压的最小值必须大于线路的最大正常工作电压。
- 确定线路所能承受的最高瞬时电压,确保放电管的冲击击穿电压必须低于这个值。
- 根据线路中可能窜入的冲击电流强度,确定放电管的标称冲击放电电流(室外一般10kA,入室端一般5kA)。
- 高速信号线上需要考虑结电容的大小,结电容尽可能小。
- 气体放电管的续流电压大概在十几-几十伏,如果单独应用在电源两端时,当工作电压大于这个电压值,气体放电管的续流效应会使其一直导通,从而导致电源短路,故应搭配压敏电阻使用。
半导体放电管(TSS)
TSS半导体放电管是一种电压开关型瞬态抑制二极管,也称为固体放电管、浪涌抑制晶闸管,是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件。当外加电压低于断态电压时,器件处于断开状态;当电压超过最大断态电压时,TSS管会将瞬态电压钳制到转折电压内;电压继续增大,TSS会由于负阻效应进入导通状态,近乎短路;当外加电压恢复正常,电流下降并低于维持电流,元件恢复截止状态。
与TVS管的区别:
- TSS管都具有双向的导通特性,TVS管有单向和双向区分
- TSS管是电压开关型的,TVS管是电压钳位型的,从伏安特性曲线可以看出
- 相同封装时,TSS管的浪涌防护电压一般远高于TVS管
特性曲线
TSS管的伏安特性曲线类似于晶闸管,具有典型的开关特性,如下图所示。其开关特性包含 断态区、击穿区、负阻曲和通态区 四个区域。
断态区:
是电压-电流特性的高电阻、低电流区。该区域从原点延伸至击穿起始点。断态电流包含了反向电流和所有表面漏电流,在该区可施加反向截止电压(
V
D
R
M
V_{DRM}
VDRM )测量TSS的漏电流(
I
D
R
M
I_{DRM}
IDRM )。
击穿区:
击穿区是电压—电流特性的低电阻、高电压区域。该区域是从电压-电流特性的高动态电阻的低电流部分开始变化,至显著的低动态电阻区、电流剧增的区域。最终当TSS正反馈出现足以激活开通时,该区域终止。
负电阻区:
负电阻区表示从击穿区开关点到通态状态的轨迹。该区域是一个动态状态,TSS管正反馈随时间而增加导致电流增加,这引起TSS两端的电压降低,直至达到通态状态。
通态区:
通态区是电压-电流特性的低电阻、高电流部分。在通态状态时,完全正反馈的晶闸管通过的电流产生最低电压降。刚好维持通态的最小电流定义为维持电流(
I
H
I_H
IH),低于该电流会导致TSS关断。
主要参数
截止电压(
V
D
R
M
V_{DRM}
VDRM)
也称断态重复峰值电压,断态时刻施加的包含所有直流和重复性电压分量的额定最高(峰值)瞬时电压。
最大漏电流(
I
D
R
M
I_{DRM}
IDRM)
也称断态重复峰值电流,是指施加断态重复峰值电压
V
D
R
M
V_{DRM}
VDRM 产生的最大(峰值)断态电流。
维持电流(
I
H
I_H
IH)
维持TSS管通态的最小电流。一旦流过的电流值小于维持电流,TSS管就会恢复到截止状态。
通态电压(
V
T
V_T
VT)
在规定通态电流
I
T
I_T
IT 条件下器件两端电压。当电压升高到TSS管完全导通时,TSS管完全导通,呈现很小的阻抗,此时两极电压为导通电压。
通态电流(
I
T
I_T
IT)
在通态条件下,流过器件的电流。
开关电压(
V
S
V_S
VS)
开关电压定义为器件转换进入通态前,在击穿区终点时器件两端的瞬时电压。
开关电流(
I
S
I_S
IS)
在开关电压
V
S
V_S
VS 条件下流过器件的瞬时电流。
电容(
C
O
C_O
CO)
在TSS管关闭状态下的结电容。
除此之外,还有 脉冲峰值电压 V P P V_{PP} VPP 和 脉冲峰值电流 I P P I_{PP} IPP。是指在给定波形下TSS的极限值。
器件选型
- TSS的反向截止电压应大于被保护电路的最大工作电压,否则TSS不仅会影响被保护电路的正常工作,还会影响TSS的使用寿命。
- TSS是一种开关型过电压保护器件,导通后电压较低,不能单独应用于较高的电源线保护。
- TSS存在续流,指TSS在导通后,如果被保护的线路电压高于TSS的通态电压,流过TSS的电流高于TSS的维持电流,TSS会一直处于导通状态,TSS如持续通过较大的异常过电流,会对电路造成损坏。
瞬态抑制二极管(TVS)
工作原理
瞬态电压抑制二极管(TVS) 是一种常用于 保护设备免受静电放电相关的瞬态事件影响 的器件,是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成。TVS有单向与双向之分,单向TVS一般应用于直流供电电路,双向TVS应用于电压交变的电路。应用于直流电路时单向TVS反向并联于电路中,当电路正常工作时,TVS处于截止状态(高阻态),不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到TVS(雪崩)击穿电压时,TVS迅速由高电阻状态突变为低电阻状态,泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地,同时 把异常过电压钳制在较低的水平,从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后,TVS又恢复为高阻态。
TVS 的伏安特性曲线及相关参数说明如图所示,虚线为单向TVS的正向导通压降。双向TVS伏安特性曲线第一象限与第三象限极性相反,特性相似。当TVS反向偏置时,TVS有两种工作模式:待机(高阻抗)或钳制(相对的低阻抗),如图第三象限。在待机状态下,流过TVS的电流称为 漏电流( I R I_R IR) 或待机电流,该电流的大小随TVS的结温而变化。在TVS的伏安特性曲线中,由高阻抗向低阻抗转变是 雪崩击穿 的开始,当TVS完全雪崩击穿时, TVS会瞬间导通并保持PN结两端相对较低的 钳位电压( V C V_C VC)。
主要参数
截止电压(
V
R
W
M
V_{RWM}
VRWM)
截止电压是TVS的最高工作电压,可连续施加而不引起TVS劣化或损坏的最大的直流电压或交流峰值电压。在
V
R
W
M
V_{RWM}
VRWM下,TVS认为是不工作的,即是不导通的。在额定截止电压内,TVS管具有高阻抗,只有少量漏电流。
击穿电压(
V
B
R
V_{BR}
VBR)
击穿电压,指在V-I特性曲线上,在规定的脉冲直流电流
I
T
I_T
IT或接近发生雪崩的电流条件下测得TVS两端的电压。击穿电压是二极管开始导通的反向偏置电压。
钳位电压(
V
C
V_C
VC)
钳位电压,施加规定波形的峰值脉冲电流
I
P
P
I_{PP}
IPP时,TVS两端测得的峰值电压。
漏电流(
I
R
I_R
IR)
漏电流,也称待机电流。在规定温度和最高工作电压条件下,流过TVS的最大电流。
峰值脉冲电流(
I
P
P
I_{PP}
IPP)
峰值脉冲电流,给定脉冲电流波形的峰值。TVS一般选用10/1000μs电流波形。
器件选型
- TVS钳位电压应小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压。
- 在低功耗电路或高精度采集电路中,不能忽视漏电流。
- 在一些通信线路中,要注意TVS的结电容,不能影响电路正常工作。
- 需要考虑封装和功率。TVS的功率与封装相关,封装体积越小,其功率一般也越小。
- 在电路存在正极性和负极性信号时,选用双向TVS进行保护。
静电保护二极管(ESD)
ESD静电保护元件,又称静电抑制二极管。ESD是多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局做成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件,主要应用于各类通信接口静电保护。
ESD产品的伏安特性曲线与TVS类似,与TVS不同的是ESD产品功率较小,工作电压也较低,ESD的工作电压根据被保护芯片的工作电压来来设计。
ESD特点
- ESD是一种钳位型过压保护器件,用于静电防护及一些较低浪涌的防护
- ESD电压根据被保护IC的工作电压或通信电压设计,因此需要选择合适的击穿电压
- ESD的结电容比较低,适合高速通信应用,不影响数据通信质量
选型注意事项
- ESD器件的截止电压应大于被保护电路的最大工作电压,否则会影响被保护电路的正常工作
- ESD 一般用于各类通信端口静电防护,在一些高速数据线路,如USB3.0、USB3.1、HDMI等接口,ESD保护器件的结电容应选择尽量的小,以避免影响通信质量
- 根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装形式。ESD器件封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小,一般封装越大的器件防护等级也越高,反之亦然。