1、MOS管的开关特性
1、结构和工作原理
1、结构
衬底上方有2个N型区,N型区充满自由电子(负电荷),构成源极S和漏极D。
中间有绝缘层,防止控制回路(即栅极G和衬底B之间的回路)产生电流
2、工作原理
该MOS管分为控制回路和输出回路
- 控制回路:如左图,使用电源连接栅极G和衬底B
- 输出回路:如右图,使用电源连接漏极d和源极s
为了维持控制回路栅极g高电平时导通,低电平时截止,将控制回路的衬底B接低电平或地。
N型池中有很多的自由电子,在 V V VGS > V V VGS(th) 时,P型衬底中的自由电子会聚集在栅极下端,形成导电通道,称为反型层。
因为P型衬底中主要以空穴,即正电荷为主,和该导电通道电荷相反,所以称导电通道为反型层。
2、输入和输出特性
对于MOS管而言, 栅-源作为输出端,漏-源作为输出端,这样的接法称为共源接法。
1、输入输出电路分析
因为不管电压多少,输入电流都为0,故不再讨论MOS管的输入特性曲线。
2、输出特性曲线
输出特性曲线可分为三个工作区
1、截止区
在 V V VGS < V V VGS(th)时,没有形成导电通道,漏极和源极之间的电阻无限大, i i iD很小
2、可变电阻区
由于等效电阻的大小是由 V V VGS决定的,是可控的,所以叫可变电阻区。
V V VGS > V V VGS(th),且 V V VDS数值比较小时,此刻mos管导通且可以计算其等效电阻值。
由 R R RON计算公式可知,当 V V VGS >> V V VGS(th)时,等效电阻很小。
3、恒流区
当 V V VGS > V V VGS(th),且 V V VDS足够大,已经达到导通允许通过的最大电流,这时就处于恒流区。
在 i i iD的计算公式中, I I IDS为一个常数,关键看 V V VGS, i i iD近似的与 V 2 V^2 V