CMOS逻辑


一、反相器

  CMOS反相器即为非(NOT)门,是由一个pMOS管和nMOS管串联构成。下图为反相器的电路图(a)和符号图(b):
在这里插入图片描述
  当输入A为0时,pMOS管导通,nMOS管关闭,输出Y接通VDD,Y被上拉至1;
  当输入A为1时,pMOS管关闭,nMOS管导通,输出Y接通GND,Y被下拉至0;

表达式为:
  Y = A ‾ \ Y=\overline{A}  Y=A

反相器真值表
AY
01
10

二、与非门(NAND)

  二输入与非门由两个输入条件,它是由两个在Y与GND之间串联的nMOS管和在Y与VDD之间并联的pMOS管构成。下图为与非门的电路图(a)和符号图(b):
在这里插入图片描述
表达式为:
  Y = A ⋅ B ‾ \ Y=\overline{A\cdot{B}}  Y=AB

与非门真值表
AB上拉网络(pMOS管)下拉网络(nMOS管)Y
00关闭导通1
01关闭导通1
10关闭导通1
11导通关闭0

  k输入的与非门是由k个串联的nMOS管和k个并联的pMOS管构成,例如下图三输入的与非门:
在这里插入图片描述
表达式为:
  Y = A ⋅ B ⋅ C ‾ \ Y=\overline{A\cdot{B}\cdot{C}}  Y=ABC


三、逻辑门

  上述所描述的反相器和与非门就是两种静态的CMOS逻辑门也称为互补CMOS门。一般一个静态的CMOS逻辑门就是由一个输出连接GND的nMOS下拉网络和一个输出连接VDD的pMOS上拉网络构成,必有一个导通一个关闭。下图为逻辑门的结构图:
在这里插入图片描述

CMOS逻辑门的输出状态
上拉网络关闭上拉网络导通
下拉网络关闭Z1
下拉网络导通0X

  Z状态:是在上拉和下拉网络都关闭的时候,就会形成高阻(Z)即浮空的状态。这个状态在多路开关、储存单元以及三态总线驱动器中很有意义。
  X状态:是在上拉和下拉网络都导通的时候,就会形成竞争电平(X)。此时两个网络间的竞争将产生一个不确定的输出电平并引起静态功耗,这通常不是我们所希望出现的。


四、或非门

  二输入或非门是由两个在Y与GND之间并联的nMOS管和在Y与VDD之间并串的pMOS管构成。下图为与非门的电路图(a)和符号图(b):
在这里插入图片描述
表达式为:
  Y = A + B ‾ \ Y=\overline{A+B}  Y=A+B

或非门真值表
AB上拉网络(pMOS管)下拉网络(nMOS管)Y
00导通关闭1
01关闭导通0
10关闭导通0
11关闭导通0

五、复合门

  复合门是由通过串联和并联开关结构的组合来实现的。以单级逻辑完成复杂的逻辑功能。

表达式   Y = ( A ⋅ B ) + ( C ⋅ D ) ‾ \ Y=\overline{(A\cdot{B})+(C\cdot{D})}  Y=(AB)+(CD)的复合门为:
在这里插入图片描述
表达式   Y = ( A + B + C ) ⋅ D ) ‾ \ Y=\overline{(A+B+C)\cdot{D})}  Y=(A+B+C)D)的复合门为:
在这里插入图片描述
思路:
   当D为1并且A或B或C中任何一个为1时,nMOS下拉网络将使输出下拉为低电平,所以D和A、B及C的并联组合串联在一起。由于pMOS上拉网络是nMOS 下拉网络的“互补导通”,所以在pMOS上拉网络中D必须和A、B及C的串联组合相并联。

另类思路:
   nMOS管:或并与串
   pMOS管:或串与并


六、传输管和传输门

  nMOS管传送0时,是近似理想的称为“强0”,但是传送1时,却不理想,称为降级1或“弱1”;pMOS管则状态相反,“强1弱0”。

  当pMOS管和nMOS管单独用来作为一个非理想开关时,称为它是传输管。

  当一个pMOS管和一个nMOS管并联在一起时,无论是0还是1都能被这个开关以一种可以接受的方式传送出去,称它为传输门或传送门。

  目的: 在g=1,gb=0时,在a端输入0或1时,都可在b端输出强0或强1.
在这里插入图片描述


七、三态门

  外加一个使能信号,使输出呈现了三种状态:0、1、Z(悬空)。

下图就是三态缓存器的符号:
在这里插入图片描述
下图为三态门的真值表:

  E N / \ EN/  EN/ E N ‾ \overline{EN} ENAY
0/10Z
0/11Z
1/000
1/011

三态反相器:
在这里插入图片描述
  当EN为0时(见图(b)),两个使能晶体管关断,使输出端浮空;当EN为1时(见图©),两个使能晶体管导通。


八、多路开关

  多路开关即是根据选择信号从它的几个输入中选择其中一个作为输出。

  例如:二输入即2:1的多路开关,当选择信号为0时选择D0输入,而当选择信号为1时选择D1输入。
其逻辑函数为:
  Y = S ‾ ⋅ D 0 + S ⋅ D 1 \ Y=\overline{S}\cdot{D0} +S\cdot{D1}  Y=SD0+SD1
其电路图为:
在这里插入图片描述
其真值表为:

  S / \ S/  S/ S ‾ \overline{S} SD1D0Y
0/1X00
0/1X11
1/00X0
1/01X1

  可见,二输入的多路开关是由二个传输门构成。同时,二输入的多路开关亦可用二个三态反相器构成。

  较大的多路开关可以用多个二输人多路开关构成或直接把几个三态反相器组合在一起构成,但每个三态反相器需要有–个译码使能信号,这些使能信号应当同时翻转以防止竞争。


九、锁存器和触发器

  时序电路:它们的输出同时取决于当前和之前的输入。

  由一个二输入多路开关和两个反相器构成的D锁存器(电平灵敏锁存器)。电平灵敏锁存器因为输出状态取决于时钟信号的电平。
在这里插入图片描述
  当CLK=1时锁存器透明,因而D通过它到达Q(见图©)。当CLK下降至0时,锁存器将变为不透明。此时沿这对反相器建立起一条反馈路径(见图(d)),使当前的Q状态能无限期地保持下去。


  将两个电平灵敏锁存器(一个负电平灵敏和另一个正电平灵敏)连在一起,就构成了下图的边缘触发器。第一级锁存器称为主锁存器,第二级称为从锁存器。
在这里插入图片描述
  当CLK为低时,负电平灵敏主锁存器的输出( Q M ‾ \overline{QM} QM)跟随输入D而变化,此时正电平灵敏的从锁存器保持它原来的值(见图©)。当时钟从0跳变到1时,主锁存器变为不透明并保持在时钟跳变时的D值,而从锁存器变为透明,将主锁存器所保存的值( Q M ‾ \overline{QM} QM)传送至从锁存器的输出(Q)。由于此时主锁存器已与输人D断开(见图( d)),因而输入D被阻止而不会影响输出。当时钟从1跳变至0时,从锁存器保持它的值而主锁存器开始再次采样输入数据。

  如果系统的时钟偏斜(clock skew)太大,即由于时钟到达时间的不同使一个触发器触发得早些而另一个触发器触发得晚些,那么触发器就有可能发生保持时间( hold-time)失效。为解决这一问题可以采用两相位不重叠时钟的时序控制来完全避免保持时间问题。

  下图为用两相不重叠时钟控制的触发器。只要两个相位在任何情况下都不重叠,那么无论何时至少有一个锁存器不透明,因而绝不会发生保持时间问题。
在这里插入图片描述

<think>嗯,用户让我介绍一下CMOS逻辑门。首先,我需要确定用户的基础知识水平,可能是个电子工程的学生或者对数字电路感兴趣的爱好者。我应该从基本概念开始,逐步展开,确保解释清晰易懂。 首先,CMOS的全称是互补金属氧化物半导体,应该先解释这个名字的由来,可能涉及结构上的互补性。接下来要讲CMOS逻辑门的基本组成,即使用PMOS和NMOS晶体管,这对用户理解工作原理很重要。 然后需要说明为什么CMOS被广泛使用,比如低功耗、高噪声容限等优点。要分点列出这些优点,并详细解释每个优点的原因,比如静态功耗低是因为在稳定状态下没有电流路径。 接下来可能需要介绍常见的CMOS逻辑门类型,比如非门、与非门、或非门等,说明它们的电路结构和工作原理。这里要注意用简单的语言描述,避免过于技术化,同时结合逻辑符号和真值表帮助理解。 还要提到CMOS逻辑门的电压电平,比如高电平接近VDD,低电平接近GND,这样噪声容限高。这部分可能需要联系实际应用场景,比如在数字集成电路中的重要性。 用户可能还会关心CMOS的制造工艺和集成度,可以简要说明CMOS技术如何支持高密度集成,符合摩尔定律的发展。此外,动态功耗和频率的关系也是一个关键点,需要解释为什么高频下功耗会增加。 最后,总结一下CMOS逻辑门的应用领域,比如微处理器、存储器等,强调其重要性。同时检查是否遗漏了任何关键点,比如传输门电路或者三态门这样的扩展应用,是否需要简要提及。 在组织内容时,要确保结构清晰,分步骤讲解,每个部分用标题分隔,使用列表和示例来增强可读性。同时注意使用正确的LaTeX格式,行内公式用$...$,独立公式用$$...$$,并检查语法是否正确。避免使用复杂术语而不解释,保持语言简洁明了,符合中文表达习惯。</think>好的,我将分步骤为您介绍CMOS逻辑门的关键知识点: ### 一、CMOS基础概念 1. **定义** CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互补金属氧化物半导体)是一种通过组合**PMOS**和**NMOS**晶体管实现逻辑功能的集成电路技术。 2. **核心结构特点** - PMOS(P型MOS管):连接电源$V_{DD}$,导通条件为栅极低电平($V_G < V_S$) - NMOS(N型MOS管):连接地$GND$,导通条件为栅极高电平($V_G > V_S$) - 两者**互补对称**,构成推挽输出结构 ### 二、工作原理分析 **以CMOS反相器(NOT门)为例**: $$ \begin{cases} \text{输入高电平} & \rightarrow \text{PMOS截止,NMOS导通} \rightarrow \text{输出低电平} \\ \text{输入低电平} & \rightarrow \text{PMOS导通,NMOS截止} \rightarrow \text{输出高电平} \end{cases} $$ ![CMOS反相器结构](https://via.placeholder.com/300x150?text=PMOS+NMOS互补结构) ### 三、关键优势解析 1. **超低静态功耗** 稳态时PMOS和NMOS总有一个截止,电流路径断开,理论静态功耗为$P_{static} = I_{leakage} \cdot V_{DD} \approx 0$ 2. **高噪声容限** 输出电平摆幅接近全电源范围: - 高电平$V_{OH} \approx V_{DD}$ - 低电平$V_{OL} \approx 0$ 3. **高集成密度** 采用MOS工艺,器件尺寸可微缩,符合摩尔定律发展趋势 ### 四、常见逻辑门实现 | 逻辑门类型 | PMOS网络位置 | NMOS网络位置 | |----------|-------------|-------------| | **与非门(NAND)** | 并联结构 | 串联结构 | | **或非门(NOR)** | 串联结构 | 并联结构 | **通用设计规则**: - PMOS网络实现**逻辑函数的非(Complement)** - NMOS网络直接实现**原始逻辑函数** ### 五、动态特性与功耗 1. **动态功耗公式** $$P_{dynamic} = \alpha \cdot C_L \cdot V_{DD}^2 \cdot f$$ 其中$\alpha$为翻转因子,$C_L$为负载电容,$f$为时钟频率 2. **延时优化** - 增大晶体管宽长比($W/L$)可降低导通电阻 - 需平衡上升时间与下降时间的对称性 ### 六、典型应用场景 1. 微处理器核心逻辑电路 2. 存储器(SRAM/DRAM)周边电路 3. 低功耗物联网设备 4. 高速数字通信接口 ### 七、进阶扩展 1. **传输门(Transmission Gate)** 由PMOS和NMOS并联构成,实现双向信号传输 2. **三态门(Tri-State Gate)** 增加使能端控制,输出可进入高阻态($Z$状态) 需要更深入理解某部分(如具体电路分析或工艺细节),可以进一步提问!
评论 2
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值