CMOS逻辑门电路

按照制造门电路的三极管不同，分为MOS型、双极性和混合型。MOS型集成逻辑门有CMOS、NMOS、PMOS；双极型逻辑门有TTL；混合型有BiCMOS。

CMOS门电路是目前使用最为广泛、占主导地位的集成电路。早期CMOS电路速度慢、功耗低，后来随着制造工艺的不断改进，CMOS门电路的集成度、工作速度、功耗和抗干扰能力远优于TTL。

---

MOS管开关电路

MOS管开关电路如上所示，此电路以NMOS管为例。对于NMOS，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动）。对于PMOS，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

当输入为低电平时，MOS管截止，其截止的等效电阻Roff约为1MΩ以上，远大于Rd。故分压大，输出为高电平。

 当输入为高电平时，MOS管处于可变电阻区，其等效电阻Ron约在1KΩ以内，有的可以达到10Ω甚至更低，远小于Rd。故分压小，相当于导线直接接地，输出为低电平。

对于Rd，为限流电阻，通常为KΩ级，但此时其上的功耗很大。为了克服这个缺点，通常用一个PMOS管代替Rd，构成CMOS反相器。

动态特性：

对MOS管开关电路的输入端加一个理性脉冲矩形，由于MOS管内部寄生电容的存在，使其在导通和闭合两种状态之间转换时，不可避免地受到电容充放电过程的影响。使上升沿和下降沿的变化都变得缓慢，并且Vo的变换滞后于输入Vi的变换。

将称为输出Vo由高电平跳变为低电平的传输延迟时间；称为输出Vo由低电平跳变为高电平的传输延迟时间。

---

CMOS反相器

即：互补对称式金属-氧化物-半导体电路。如上所示，由N沟道和P沟道增强型MOS管组成的电路称为互补MOS或CMOS电路。为了让电路正常工作，要求电源电压Vdd大于这两个MOS管阈值电压的绝对值之和，即

当输入为低电平时，上面的T1属于导通的状态，下面的T2属于截止的状态。因为导通电阻小。而截止电阻非常大，由于分压输出高电平；

当输入为高电平时正好相反，输出低电平。输入与输出之间为逻辑非的关系，因此称为非门或反相器。

对于CMOS反相器而言，可分为三个状态：T1导通、T2截止；T1截止、T2导通；T1、T2均导通。对于T1、T2一导通一截止是正常的工作状态，但对于T1、T2同时导通在互补开关电路中稳定情况下不允许出现。

---

CMOS反相器传输特性

分为电压传输特性和电流传输特性。电压传输特性是指其输出电压Vo随输入电压Vi变化关系的曲线；电流传输特性是指漏极电流id随输入电压Vi变化的曲线。

在B到区间，NMOS管在恒流区，PMOS管在可变电阻区；在到C区间，NMOS管在可变电阻区，PMOS管在恒流区；在处，NMOS管和PMOS管均在恒流区。

在B到C之间，有较大的电流，从而导致有较大的功耗，使用时应避免使两管长时间工作在此区域，防止功耗过大而损坏。

---

输入端噪声容限

门电路输入端和输出端电平信号都有一个正常的取值范围。通常指门电路串联时的一个情况：门电路串联时，前一级输出为后一级输入，这时输出与输入之间电平范围要匹配，保证门电路能正常工作。

通常输入信号与输出信号之间有一定的差值，这个差值就是输入信号允许的波动范围。波动范围的最大值为噪声容限。

当噪声干扰在噪声容限范围内时，对应的输出即使有偏差，也不会超过下一级输入正常识别范围。

 根据测试结果表明：当允许输入信号变化量为30%Vdd时，输出信号的变化不大于10%Vdd。由此得到下图：

 

可以直观的看出，提高电源电压Vdd，可以提高CMOS电路的直流噪声容限。